機械の自動化レベルが進むにつれて、周囲の細かな認識が必要になってきています。飛行時間TOF（Time-of-flight）ベースの3次元画像システムは、機械の目になりました。eGaN^®技術は、これらのシステムのレーザー・ドライバの主力製品であり、この解像度がインテリジェントな決定を下すことに貢献します。

独Bodo’s Power Systems
2022年10月
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この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。

この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。

米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
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業界では、GaNデバイスは、電気モーターのインバータに使われているという一般的な考えがあります。結局のところ、システムの性能が20 kHzのPWM（パルス幅変調）の使用によって制限されている場合、より高速なスイッチング速度からその利点の大部分を得る材料を使っても、わずかな利点しかない可能性があります。しかし、EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタのMarco Palmaによると、GaNがその役割において、依然として効果的であることを証明できる方法がいくつかあります。

米Power Systems Design誌
2022年9月
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EPCのインバータのリファレンス・デザインは、パワー・トレインのサイズを小型化するためにGaNチップに基づいています

英オンライン・ニュースのE-mobility Engineering
2022年9月
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熱的に強化されたQFNパッケージ封止のGaN FETは、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度用途向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

米Power Electronics News誌
2022年9月
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新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション（ISS）の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
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Efficient Power Conversionによる窒化ガリウム技術に基づく最新のePower™集積回路は、産業用ドローン、電動自転車、電動キックボード、電動工具などのモーター駆動アプリケーションに革命をもたらしています。

独Bodo’s Power Systems
2022年4月
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ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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GaNベースのインバータ・リファレンス設計のEPC9167は、システム全体のコストを削減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。 このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合できるため、EMI（電磁干渉）雑音が最小になり、密度が最大になり、重さが最小になります。

米オンライン・ニュースRobotics Tomorrow
2022年3月
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窒化ガリウムのスペシャリストであるEPCが米モノリシック・パワー・システムズと共同開発した双方向コンバータは、発表値のピーク効率97％で動作します。

米EETimes誌
2022年2月
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いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側（つまり、パッケージ）を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
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この記事では、効率的な48 Vの電力分配のためのGaNを備えた車載用バック／逆ブースト・コンバータの設計と性能について説明します。

英Electronics Today誌
12月/ 1月版
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車載用の48 V電力分配向けの双方向DC-DCコンバータの設計を示し、GaN技術が効率的な電子化を可能にする強力な成功要因であることを示します。自動車産業における電子化の増加傾向によって、自動車メーカーは、費用対効果の高い方法で市場に新しい革命を提供し、ますます厳しくなる排出規制に対応することができます。自動車の主バス電圧を48 Vに上げると、マイルドハイブリッド車のスタート・ストップのモーター／発電機などの電力を大量に消費するシステムや、電動パワー・ステアリング、電動過給機、真空や水のポンプなどの負荷に対応できます。

独Bodo’s Power Systems
2021年12月
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EPCは、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDCモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの集積回路チップ・セットを製品化しました。eGaN ICのEPC23101とeGaN FETのEPC2302は、最大耐圧が100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度1 MHz以上のePowerチップ・セットを構成します。

独Bodo’s Power Systems
2022年2月
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2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
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モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
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