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EPC 對於美國專利商標局初步決定持有強烈法律立場信心;對 Innoscience 產品的 ITC 進口禁令仍然有效

EPC 對於美國專利商標局初步決定持有強烈法律立場信心;對 Innoscience 產品的 ITC 進口禁令仍然有效

艾爾瑟甘多,加州 – 2025年3月 – EPC宣布在IPR2023-01381案中,美國專利局發布的決定加強了US'294專利,新增了兩項對商業增強模式GaN裝置至關重要的專利請求項。雖然美國專利局也取消了兩項成為ITC對Innoscience侵權決定基礎的權利要求專利請求,EPC將對美國專利局取消其權利要求專利請求提出上訴。歷史上,EPC的專利在包括美國和中國在內的多個司法管轄區得到了維護,這加強了EPC預期最終結果將對其有利。

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EPC 宣布 100 V GaN 功率晶體管的新基準

EPC 宣布 100 V GaN 功率晶體管的新基準
EPC 推出 EPC2367,一款 100 V GaN FET,具有超低 1.2 mΩ RDS(on)、卓越的效率和熱性能,推動 AI、機器人和汽車電源的發展。

加州埃爾塞貢多 — 2025 年 3 月 – 增強型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管與 IC 的領導者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出 EPC2367新一代 100 V eGaN® FET,可為功率轉換應用提供更卓越的性能、更高的效率,並降低系統成本。

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EPC 將於 APEC 2025 展示 GaN 在 AI、機器人技術及高密度電源轉換應用中的創新突破

EPC 將於 APEC 2025 展示 GaN 在 AI、機器人技術及高密度電源轉換應用中的創新突破

EPC 的 GaN 專家將於 APEC 展會期間展示最新一代 GaN FET 和 IC,應用範圍廣泛。

EL SEGUNDO, Calif. — 2025 年 2 月 — EPC 作為全球增強型氮化鎵 (GaN) 電源解決方案的領導者, 將於 2025 年應用電力電子大會 (APEC) 上展示其在 AI、機器人技術及其他高密度電源轉換應用領域的最新技術突破。 此次活動將於 3 月 16 日至 3 月 20 日在美國喬治亞州亞特蘭大舉行,EPC 將在展位 1231 展示 GaN 如何革新 AI 基礎設施、人形機器人、工業及消費類應用。

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EPC 宣布推出《高效能電力轉換的 GaN 功率元件》第四版

EPC 宣布推出《高效能電力轉換的 GaN 功率元件》第四版

加利福尼亞州 EL SEGUNDO—2025 年 2 月 — 增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率器件的全球領導者 Efficient Power Conversion Corporation (EPC) 欣然宣布推出其突破性教科書 《高效能電源轉換的 GaN 功率器件》 第四版。

此最新版本反映了 GaN 技術的快速進步及其對各行業的變革性影響,包括可再生能源、 電動車、數據中心、機器人技術及太空應用。本書由 EPC 執行長 Dr. Alex Lidow 及 GaN 專家團隊共同撰寫, 依然是工程師、學生及業界創新者掌握電力電子技術前沿的重要資源。

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新型氮化鎵基馬達驅動參考設計,專為人形機器人的精密運動優化

新型氮化鎵基馬達驅動參考設計,專為人形機器人的精密運動優化

EPC91104提供了一個多功能的參考設計,具有優化的PCB佈局,適用於寬輸入電壓範圍的馬達驅動應用

加州艾爾塞貢多—2025年1月—高效能電力轉換公司(EPC),增強模式氮化鎵(eGaN®)電力裝置的世界領導者,宣布推出EPC91104,一款高性能的三相BLDC馬達驅動逆變器參考設計。這一創新設計非常適合用於驅動人形機器人中的緊湊型精密馬達,如用於手腕、手指和腳趾的移動。

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設計適用於高壓電池應用的高性能馬達驅動系統

設計適用於高壓電池應用的高性能馬達驅動系統

EPC91200 提供多功能參考設計,搭配最佳化的 PCB 佈局,適用於廣泛輸入電壓範圍的馬達驅動應用

加州 EL SEGUNDO — 2025 年 1 月 — 全球領先的增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率器件供應商 Efficient Power Conversion Corporation (EPC) 推出 EPC91200,一款完全配置的馬達驅動逆變器參考設計,為各類工業和電池供電應用提供卓越的性能與靈活性。

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美國國際貿易委員會(ITC)確認 Innoscience 在總統審查期後侵權

美國國際貿易委員會(ITC)確認 Innoscience 在總統審查期後侵權

ITC 對 Innoscience 產品的進口和銷售禁令現已生效

加州埃爾塞貢多 – 2025 年 1 月 7 日 – Efficient Power Conversion (EPC) 今日宣布,美國國際貿易委員會(ITC)對其最終裁定的總統審查期已結束,該裁定確認 Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. 及其關聯公司(以下簡稱 Innoscience)侵犯了 EPC 關於 GaN 技術的基礎專利。ITC 的裁定現已生效,對未經 EPC 授權的 Innoscience 產品在美國實施進口和銷售禁令。

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設計高效能太陽能優化器,採用GaN FET技術

設計高效能太陽能優化器,採用GaN FET技術

透過緊湊、可靠且具成本效益的GaN技術提升光伏系統效能

加州艾爾塞貢多 — 2024年12月 — 高效能電力轉換公司 (EPC),全球增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率器件領導者,驕傲地宣布推出最新的EPC9178參考設計,用於光伏(PV)優化器。EPC9178旨在提供高可靠性,同時解決能源效率和成本效益方面的關鍵挑戰,藉由減少太陽能系統中的被動元件,展示了GaN技術在可再生能源解決方案中的變革潛力。

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GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

電池供電的應用,例如新一代的機器人、無人機和電動工具,需要減少空間並簡化設計以控制電動馬達。優化尺寸和組件可以在不損失效率和性能的情況下,在小空間中包含更多功能,從而實現創新解決方案。EPC ePower™ Stage ICs 技術有助於簡化和改進先進電機控制應用中的逆變器設計。

Bodo’s Power Systems
2024年6月
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USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

第一個通用串列匯流排(USB)規範於1996年發布,旨在標準化計算和電信行業的電力供應和連接性[1]。最初支援5伏特電力匯流排,最高可達5安培電流(25瓦特)和12 Mbit/s的最大數據傳輸速率,由於電子設備的普及,USB 已顯著發展,導致對更高電力能力的需求。

Bodo’s Power Systems
2024年5月
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使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸僅為1.5mm x 1.2mm,為USB-C PD應用提供了更高的功率密度。

加利福尼亞州埃爾塞貢多—2024年6月—EPC是增強型氮化鎵(GaN) 功率FET和IC的全球領導者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。該GaN FET專為滿足高功率USB-C設備的不斷發展需求而設計,包括消費電子、車載充電和電動出行設備。

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CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).

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宜普發聲明稱其氮化鎵功率元件供貨不受影響

宜普發聲明稱其氮化鎵功率元件供貨不受影響

2023年7月3日中國商務部宣佈8月起對鎵、鍺相關物項的出口實施管制。宜普電源轉換公司的晶圓技術是矽基氮化鎵,儘管每個元件中有其微量鎵含量,相對全球鎵來源廣泛,宜普的需求相對較小。我們預計不會出現短期或長期的供應中斷。

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EPC第十五階段產品可靠性測試報告 根據實際應用經驗,預測氮化鎵元件壽命

EPC第十五階段產品可靠性測試報告 根據實際應用經驗,預測氮化鎵元件壽命

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十五階段產品可靠性測試報告,進一步豐富了關於氮化鎵元件可靠性的知識庫和展示了 EPC eGaN 產品的穩健耐用性已在實際應用中得到驗證。

EPC 宣佈發佈其第十五階段產品可靠性測試報告,記錄了持續使用測試元件至失效的方法,並針對太陽能優化器光達感測器DC/DC 轉換器等實際應用,加入了具體的可靠性指標和預測數據。

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Power Steering with GaN ePower™ ICs

Power Steering with GaN ePower™ ICs

With Electronic Power Steering (EPS), the hydraulic system is replaced with an electric motor that aids the driver only when needed. Its digital assistance control can be modified online to adapt to driving conditions. There are, however, several design constraints to consider. One is that the driver does not want to lack the haptic feedback from the tires, especially when a vehicle is large, such as a truck. Other constraints are determined by safety regulations, particularly for automatic guided vehicles. These constraints require adopting an efficient, accurate and redundant system. Gallium nitride technology helps the designers in all these areas.

Power Electronics News
March, 2023
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Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

EL SEGUNDO, Calif.—  March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.

EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.

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GaN-based Design of a 2 kW 48 V/12 V Bi-directional Power Module for 48 V Mild Hybrid Electric Vehicles

GaN-based Design of a 2 kW 48 V/12 V Bi-directional Power Module for 48 V Mild Hybrid Electric Vehicles

With the increase in government mandates to combat climate change, automakers are moving quickly to leverage new technology to respond by switching from the internal combustion engine to electric-drive vehicles. This article presents the design of a 2 kW, two-phase 48 V/12 V bi-directional converter using GaN FETs that achieves 96% efficiency and is targeted for the 48 V mild hybrid system.

PSD North America
March, 2023
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歡迎蒞臨APEC 2023展覽會與GaN專家會面 以瞭解最新一代功率半導體如何針對各業界需求,實現最佳功率密度

歡迎蒞臨APEC 2023展覽會與GaN專家會面 以瞭解最新一代功率半導體如何針對各業界需求,實現最佳功率密度

EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者,將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講,詳情請參閱下方時間表。此外,我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN®FET和IC,其應用範圍包括高功率密度計算電動汽車機器人太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合,可現成交付。

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