宜普公司的EPC9130五相開發板展示出採用高頻開關eGaN^®功率電晶體、極小型化及增強了效率的電源轉換方案。

宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩壓式開發板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培，開發板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度（每立方英寸大於1250 W），其效率高於96%。

宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體（EPC2049），應用於負載點（POL）轉換器、雷射雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2049功率電晶體，應用於負載點（POL）轉換器、雷射雷達（LiDAR）、波峰追蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

EPC9126HC開發板採用具備超快速功率轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，由於可以驅動高達150 A及可低至5 ns脈寬的脈衝大電流，因此可以提高雷射雷達（LiDAR）系統所偵測的資料的質素，包括資料的準確性、精確度及製作速度。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出全新的100 V、150 A大電流脈衝雷射二極體的驅動演示電路板（EPC9126HC）。面向全自動汽車應用的雷射雷達系統需要製作三維地圖，因此，偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到，與等效MOSFET相比，具備快速轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)所提供的脈衝功率可以快十倍的速度驅動雷射二極體，從而提升雷射雷達系統的整體性能。

The EPC9086 high efficiency half-bridge development board can operate up to 10 MHz featuring a 30 V EPC2111 eGaN^® half bridge in combination with the recently introduced high speed Peregrine Semiconductor PE29102 gate driver.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of The EPC9086 development board, a high efficiency half-bridge development board that can operate up to 10 MHz.  The EPC9086 board measures 2” x 2” and contains a 30 V, 15 A EPC2111 enhancement-mode gallium nitride half bridge in combination with the recently introduced PE29102 gate driver from Peregrine Semiconductor.

Superior characteristics of eGaN^® FETs and ICs, such as low output capacitance, low input capacitance, low parasitic inductances, and small size used in these demonstration kits show that GaN FETs and ICs are ideal for increasing efficiency in highly resonant, AirFuel™ Alliance compatible wireless power transfer systems.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of two new demonstration kits -- the EPC9127, a complete wireless power kit including a 10 W, class 2 amplifier, category 3 receiver device and the EPC9128, consisting of a 16 W, class 3 amplifier and two receiver devices (categories 3 and 4). These systems, coupled with previously announced EPC9120, 33 W class 4 and the EPC9121 multi-mode kit capable of operating to either an AirFuel Class 2 standard with a category 3 device or a Qi (A6)/PMA standard with a compatible receiving device provide a full range of wireless power demonstration kits to allow for complete, wide-spread implementation.

宜普電源轉換公司（EPC）的全新EPC9083開發板可以幫助功率系統設計師容易並且快速地對E類放大器內、可在高達15 MHz頻率工作的200 V氮化鎵電晶體進行評估，應用包括無線充電、雷射雷達、電流模式D類放大器及推挽式轉換器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出高效、靈活及採用氮化鎵電晶體的差分模式開發板（EPC9083），可以在高達15 MHz頻率工作，包括無線充電應用的6.78 MHz頻率。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師以簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

具備卓越性能的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET），例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小型化，成為高度共振式並與AirFuel^™標準相容的無線充電系統的理想元件，可提高效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出與AirFuel聯盟第四級別（Class 4）規格相容的無線充電套件（EPC9120）。該系統可對應用提供高達33 W功率而同時工作在6.78 MHz頻率（最低ISM頻段），旨在於高效無線充電應用中，簡化對所採用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）進行評估。EPC9120採用具備高頻開關性能的EPC氮化鎵電晶體，使得無線充電系統可以在不同的工作條件下，實現80%至90%的效率。

Taking advantage of the high performance of eGaN^® FETs, Rompower Energy Systems has announced a reference design for a tiny, 65 W, 94% efficient AC/DC power adaptor for laptops and other mobile devices.

TUCSON, Az. – June 2017 – Rompower Energy Systems, an internationally recognized research and development company in the field of power conversion, announces the availability of technology for an extremely small, highly efficient AC/DC power adapter. In the quest for higher power density, the efficiency of the adapter is critical in order to decrease the heat dissipation. The reference design is measuring just 3.19 cubic inches in size, this adapter provides 65 W of power at greater than 94% efficiency over the entire input voltage range (90 V_ac – 264 V_ac).  The adapter has a power density of 20 W/in³. This high efficiency means that the device runs cooler than standard AC/DC adapters.

EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111）。透過整合兩個eGaN^®功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

200 V、25 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍，可應用於無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出面向多種應用的EPC2046功率電晶體，包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻（R_DS(on)）為25 mΩ、脈衝輸出電流為55 A。

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET），對比前一代的產品，這些電晶體的尺寸減半，而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路的宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出全新的EPC2045 （7 mΩ、100 V）及EPC2047（10 mΩ、200 V）電晶體，在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點（POL）轉換器、USB-C及 雷射雷達（LiDAR）等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

EPC9126開發板基於具備超快速的轉換速度特性的eGaN^®FET，可通過大電流脈衝及低至5 ns的總脈寬來驅動雷射二極體，從而提高雷射雷達系統的偵測資料的質素，包括偵測資料的準確度、精准度及處理速度。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9126評估板。該板是基於100 V大電流脈衝雷射電源設计，可驅動雷射二極體。在自動駕駛車的雷射雷達系統在自動駕駛車的雷射雷達系統中，偵測目標物件的速度及準確性非常重要。EPC9126評估板展示eGaN FET具備快速轉換速度的特性，與等效MOSFET相比，eGaN FET可以高達快十倍的速度提供功率脈衝來驅動雷射二極體，從而提高LiDAR系統的整體性能。

具備優越特性的eGaN^® FET與積體電路可以實現的低成本解決方案是在發射端採用單個功率放大器，而在接收端無論是採用什麼標準，也可以實現無線充電。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出支援多模式的無線充電演示套件（EPC9121），從而簡化對基於eGaN® FET與積體電路的高效多模式無線充電系統進行評估的過程，該系統支援採用任何標準的接收器。

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器，展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發板，可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設，對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法，使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零Q_RR、同步自舉整流器的閘極驅動器，從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

採用eGaN^®FET、工作在6.78 MHz頻率並與AirFuel™無線電源標準相容的EPC9065開發板可以實現最高功率及最高效率

宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC9065開發板，可作為面向AirFuel™聯盟的Class 4及Class 5無線電源傳送應用的放大器功率級。 該板的配置採用零電壓開關（ZVS）差分模式D類放大器拓撲，而且不只限於6.78 MHz工作頻率（最低ISM頻帶）。

全新的EPC2040氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）具備超快速開關性能，可以支援需要更高解析度及準確性、使用脈衝式鐳射驅動器的應用，諸如在擴增實景（augmented reality）系統及全自動駕駛汽車中，利用光學遙感技術（LiDAR）、三維感測的導航系統。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2040功率電晶體，它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率電晶體，面向高速終端應用，可實現優越的解析度、更快速的反應時間及更高準確度。此外，由於在整個工作溫度範圍內，元件具有高準確度閾值，因此當鐳射受熱，可確保系統的穩定性。例如該電晶體在LiDAR技術所採用的脈衝式鐳射驅動器是理想的元件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優越性能在這些系統中可以實現更高準確度及解析度。

面向大電流、高頻的負載點應用的EPC9059開發板內含業界第一種單個半橋式增強型氮化鎵(eGaN^®)積體電路，可實現更高功率密度。

宜普電源轉換公司（EPC）推出半橋式開發板（EPC9059），專為大電流、高頻的負載點（POL）應用而設，目的是利用氮化鎵積體電路（eGaN IC）的優勢，縮小功率轉換系統的尺寸。該板具有30 V最高元件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應用中，兩個30 V的 eGaN IC（EPC2100）並聯工作並配備板載驅動器，從而可以實現更高的輸出電流。與矽基MOSFET相比，由於氮化鎵元件具有卓越的均流能力，因此更適合並聯操作。

宜普電源轉換公司（EPC）的全新開發板幫助功率系統設計師容易並且快速地 對應用於E類放大器、電流模式D類放大器及push-pull轉換器的200 V氮化鎵電晶體進行評估，其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出高頻、基於氮化鎵電晶體並採用差分模式的開發板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

《無線電源手冊》第二版是全新增訂本，旨在幫助工程師如何發揮氮化鎵功率電晶體的卓越性能以設計出面向無線電源傳送系統的高效放大器。

宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）宣佈推出《無線電源手冊》第二版。出版本實用工程手冊的目的是為功率系統設計工程師提供寶貴設計經驗及參考資料以瞭解如何利用氮化鎵電晶體設計出高效無線電源系統。

作為宜普電源轉換公司的教科書《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊及一本新增了內容的實用指南，本書提供詳細分析如何逐步設計完成基於氮化鎵電晶體的無線電源傳送系統，內容涵蓋如何比較元件，例如在放大器設計中，對氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）與MOSFET進行比較，並配以實驗證明在這種高性能的應用中，採用eGaN FET如何比採用MOSFET的放大器更為卓越。

EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體（100 V、1 A、550 mΩ）由一個數字驅動器直接驅動，於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體（eGaN^®FET）系列的最新成員 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的Q_G值及採用超小型封裝，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動，因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。