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宜普公司的《DC/DC轉換手册》與工程師分享如何在數據通訊設備及其他功率轉換應用中利用氮化鎵（GaN）功率電晶體提高效率及功率密度。
現今世界對訊息的需求史無前例地快速增長，而社會對通訊、計算及下載技術的渴求進一步驅使我們對訊息的需求量上升。新興技術諸如雲端運算及物聯網的出現，加上全球每分鐘估計有高達300小時的錄像被上載至YouTube平臺，可見要求更多、更快速的信息存取的趨勢不會慢下來。這個挑戰推動了我們編撰這本實用工程知識手册--《DC/DC轉換 -《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊 》。
本書闡述功率轉換系統如何持續改善，從而跟上正在快速提升的運算能力的發展步伐，以及應對社會對高效數據中心的需求。此外，本書的焦點是如何發揮高效氮化鎵技術並逐步分析如何利用氮化鎵元件設計出高效的功率轉換解決方案。該分析對用於功率轉換系統中的傳統先進矽功率電晶體和氮化鎵電晶體進行比較。
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雙路增強型120 V、60 mΩ氮化鎵積體電路(EPC2110)可實現超高頻開關,從而推動採用E類放大器拓撲的無線電源傳送應用實現優越性能。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。
EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極元件，它採用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm)，於閘極施加5 V電壓時的最高RDS(on)為60 mΩ。由於EPC2110具備超高開關頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及採用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。
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全新eGaN® FET (EPC2039 eGaN®)具備優越性能、大功率及採用超小型封裝的優勢，其價格也可以支付得起。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增强型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體，其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗爲 22 mΩ。 由於它在超小型封裝內具備高開關性能，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。
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氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關，從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本，因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。
宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間，從而提高效率（尤其是在更高頻時）及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
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全新EPC2107及EPC2108 eGaN®功率積體電路包含單片半橋式元件及集成式自舉功能，專爲符合無綫充電聯盟（A4WP）第二及第三級規範的解決方案而設。此外，爲了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估，我們也提供開發板及包含發射器及接收器的無綫電源傳送解决方案。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出內含整合式自舉功能的場效應電晶體的eGaN半橋功率積體電路 EPC2107（100 V）及EPC2108EPC2108 （60 V）。該積體電路去除了由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中整合了一個自舉場效應電晶體。
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eGaN®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。
宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。
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宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。
宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。
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全新eGaN®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率電晶體，專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵（GaN）電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。
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採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
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全新氮化鎵(eGaN®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。
宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。
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EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS評估板展示出採用具備高頻開關性能的eGaN功率電晶體可大大縮減電源轉換系統的尺寸及提高效率。
宜普電源轉換公司為功率系統設計工程師擴大簡單易用的DrGaNPLUS評估板系列，使工程師非常容易對他們所設計並採用卓越的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的功率系統進行評估，進而快速實現量產。這些評估板是概念性驗證的設計，它把所有半橋式電路所需的元件整合在單塊、超小型及基於PCB的模組內，可以隨時直接表面貼裝在PCB板上，展示出採用氮化鎵電晶體的卓越功率轉換解決方案。
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EPC9115 DC/DC總綫轉換器展示出配備專有驅動器的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）在一個傳統、已調節型的隔離式1/8磚式DC/DC轉換器的拓撲可以發揮的優越性能。
宜普電源轉換公司推出EPC9115演示板，可支援48 V至60 V輸入電壓範圍並轉至12 V、 具備42 A輸出電流。它採用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增強型氮化鎵（eGaN®)功率電晶體、德州儀器公司的LM5113半橋驅動器及UCC27611低側驅動器。功率級使用傳統的硬開關及300 kHz開關頻率的隔離式降壓轉換器。
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宜普電源轉換公司出版《無線電源手冊》，旨在協助工程師設計無線電源傳送系統的高效放大器
宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）宣佈出版《無線電源手冊》，目的為功率系統設計工程師提供寶貴設計經驗及參考資料以瞭解如何利用氮化鎵電晶體設計出高效無線電源系統。作為EPC的第一本教科書《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊，本書提供實用資訊及詳細分析如何逐步設計基於氮化鎵電晶體的無線電源傳送系統。
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採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。
宜普電源轉換公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。
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宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體，進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50%。
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宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。
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EPC2101單片半橋式氮化鎵功率電晶體爲功率系統設計師提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化鎵元件可推動28 V轉至1 V幷在500kHz頻率開關的全降壓型轉換器可以在14 A輸出電流時實現接近87%系統效率，以及在30 A輸出電流時可以實現超過82%效率。同時，與使用離散元件的解决方案相比，電晶體的占板面積减少50%。
宜普電源轉換公司宣佈推出60 V增强型單片半橋式氮化鎵電晶體（EPC2101）。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積减少50%。結果是增加效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101 最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。
在EPC2101半橋式元件內，每個元件的額定電壓是60 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）的典型值是8.4 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用芯片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
開發板
EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2101集成半橋式元件，使用德州儀器公司的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳開關性能並設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
購買1000件EPC2101單片半橋式元件的單價爲$6.92美元。EPC9037 開發板的單價爲$137.75美元。以上的産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates )，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率，以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。
宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2105）。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。
在EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是10 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得元件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
開發板
EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2105整合式半橋元件，內含德州儀器栅極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht）購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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EPC9118演示板展示採用具高頻開關優勢、電源電壓在48 V或以上的氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）可易於實現更小型及具更高效率的電源轉換解决方案。
宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 --EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓並转至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它採用EPC2001 及EPC2015增强型氮化鎵（eGaN®)場效應電晶體（FET）及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電訊、工業及醫療應用所需的配電解决方案的理想設計。
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宜普公司爲功率系統設計師提供一種上升時間爲2奈秒(ns)幷面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出300 V功率電晶體（EPC2025），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高效率及更高功率密度。受惠於更高開關速度的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療應用的診斷儀器、功率逆變器及照明應用的發光二極管等。
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