由於氮化鎵場效應電晶體具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小，它是高度諧振並符合Rezence (A4WP)規格的無線電源傳送系統的理想器件，可提高該系統的效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用創新、高性能零電壓開關（ ZVS） D類放大器拓撲、支援無線電源轉換應用的演示板：EPC9506 及EPC9507演示板。該板為放大器（發射）演示板，使用宜普公司具高頻開關性能的氮化鎵電晶體，使得無線電源系統可實現超過75%效率。

DrGaN^PLUS EPC9202開發板內含100 V、具高頻開關性能的氮化鎵（eGaN^®）功率電晶體，輸出電流為10 A，該板的尺寸極細小並可提高電源轉換效率

宜普電源轉換公司推出 DrGaN^PLUS 系列評估板，為功率系統工程師提供易於使用的工具以評估氮化鎵電晶體的優越性能。這些板所實現的設計概念是把一個半橋電路所需的所有元件集成在單一個極細小、基於印刷電路板的模組，使得易於裝貼，從而實現採用氮化鎵電晶體的優越功率轉換解決方案。

第一塊DrGaN^PLUS EPC9202開發板為100 V、10 A 半橋功率轉換器，工程師可以立即及易於使用，只需“plug and play”開發板便能評估高性能氮化鎵電晶體，例如常見於通信應用的電源轉換是當Vin 是48 V 及 Vout 是 12 V時，該板可實現97% 的峰值效率。

EPC9202開發板可以由單個PWM輸入來驅動，內含兩個氮化鎵場效應電晶體（EPC2001）、德州儀器公司的LM5113驅動器及高頻輸入電容。DrGaN^PLUS板的尺寸極細小，每邊只是稍微大於9 mm，並可以直接裝貼在印刷電路板上。我們特別設計它配備最優版圖，從而把共源電感及高頻功率換向環路電感的影響減至最低。

宜普電源轉換公司首席執行官及共同創始人Alex Lidow說「我們很高興推出 DrGaN^PLUS 開發板系列中內含氮化鎵場效應電晶體的第一塊EPC9202 開發板。 除了具備更高性能、更低成本及高可靠性的優勢外，對於採納全新技術來說，易用性是非常重要的因素。現在功率轉換系統設計工程師可以利用DrGaN^PLUS開發板易於在他們的功率系統電路對氮化鎵電晶體的優勢進行評估 」。

隨EPC9202開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的網上速查指南，內載有詳細資料包括設置步驟、電路圖框、性能曲線及材料清單。

EPC9202開發板的單價為45美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買，網址為 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• 速查指南 - http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9202_qsg.pdf
• 關於EPC2001及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載： 閱讀全文

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN^®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm² with 100 V_DS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum R_DS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

EPC9013開發板內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種35 A最大輸出電流並採用四個半橋式配置的電路設計及配備一個板載柵極驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新開發板 EPC9013 ，內含100 V增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2001），使用四個半橋式並聯配置及一個板載柵極驅動器，以降壓模式工作在達35 A最大輸出電流。這種創新設計可增加輸出功率之同時並不會降低效率。

宜普公司的增強型氮化鎵場效應電晶體備受推薦，其商用高鉛含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件現在可以在網上購買。

宜普公司（www.epc-co.com.tw）推出帶高鉛含量焊錫端子的器件，非常適合要求更高焊接溫度的應用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中鉛含量為95%，而錫含量為5%。

Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.

EPC2018 氮化鎵功率電晶體於直流-直流電源轉換及D類音頻放大器的應用發揮卓越性能及實現高頻開關

宜普電源轉換公司2013年9月宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。

EPC9107 演示板展示如何使用具備高開關頻率的氮化鎵功率電晶體以縮小尺寸及提高電源轉換效率

宜普公司在二零一三年五月宣佈推出全功能降壓電源轉換演示板（EPC9107）。該板展示輸入電壓為9V至28V、當電源電壓為3.3V時可提供15 A的電流的1 MHz降壓轉換 器，內含 EPC2015氮化鎵場效應電晶體，並配合德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。當使用了這個專為驅動氮化鎵電晶體而設的驅動器，EPC9107 展示具有高開關頻率的氮化鎵場效應晶體可實現 縮小尺寸及提高性能等優勢。

EPC9107演示板的面積為3平方英寸，內含全閉環降壓轉換器，並具備經過優化的控制環路，而放置在僅半英寸x半英寸極緊湊的版圖上的全功率級，包含了氮化鎵 場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容，以展示使用氮化鎵場效應電晶體並在配備驅動氮化鎵器件的驅動器LM5113的條件下可實現的卓越性能。

演示板雖然細小，其最大電源效率超過96%，當電源電壓為3.3V時可以提供15A的電流。為幫助設計工程師， 我們設計這個易於安裝的演示板並具備多個探測點， 以便測量簡單的波形和計算效率。

隨EPC9107演示板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf， 配備安裝步驟、電路圖表、性能曲線及BOM等資料， 幫助使用者可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的單價為195.94美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• 速查指南：http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf
• EPC2015及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載: http://epc- co.com/epc/Products.aspx
• 關於開發板及其他設計支援的資料： http://epc- co.com/epc/products/demo-boards
• 參看宜普公司氮化鎵器件的應用支援資料： http://epc- co.com/epc/DesignSupportbr/Applications/DesignBasics.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、 無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也 可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected]) 

EPC9010開發板採用專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的柵極驅動器，幫助工程師利用100 V的EPC2016氮化鎵場效應電晶體快速設計出高頻開關電源轉換系統。

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年3月宣佈推出EPC9010開發板。這種開發板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體（FET）來設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬開關和高頻電路。

EPC9010開發板是一種100 V峰值電壓、7 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2016增強型氮化鎵場效應電晶體，並同時配合板載柵極驅動器。推出EPC9010開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程，因為板上集成了所有關鍵元件，因此易於與目前任何轉換器連接。

EPC9010開發板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2016 氮化鎵場效應電晶體及德州儀器的柵極驅動器（LM5113），而且包含電源和旁路電容。EPC9010開發板集成了所有關鍵元器件及佈局，以實現最優開關性能。電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。

隨開發板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用戶可以更容易使用開發板。

EPC9010開發板的單價為99.18美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• EPC2016及所有宜普氮化鎵器件的資料表，可在這個網頁下載:
  http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics
• 關於開發板及其它設計支援的資料：
  http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 關於產品培訓視頻：
  http://epc-co.com/epc/DesignSupport/eGaNFETBasics.aspx
• 宜普氮化鎵器件的應用筆記：
  http://epc-co.com/epc/Applications/ApplicationBasics.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

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EPC9004開發板內含氮化鎵場效應電晶體及採用德州儀器公司專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的閘極驅動器

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9004開發板, 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從矽功率電晶體改為採用更高效的氮化鎵場效應電晶體。

EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2012氮化鎵場效應電晶體，並同時配合德州儀器公司的快速閘極驅動器（UCC27611），從而縮短設計高頻及高效電源系統的時間及減少設計的複雜性。

推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。此外，電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供客户參考的速查指南，使客户可以更容易使用開發板。

受益于200 V的EPC2012電晶體的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智慧型儀器表通信設備。

EPC9004開發板的單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• EEPC9004速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf
• EPC2012及所有宜普氮化鎵器件的數據表,可在這個網頁下載: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
• 關於開發板及其它設計支援的資料: http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器的組合所能達到的優異性能。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。

LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。

這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。

EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、 而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。

EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。

隨EPC9102演示板一起提供的,還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。

EPC9102演示板單價為306.25美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為: http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南

• EPC9001: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9001_qsg.pdf
• EPC9002: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9002_qsg.pdf
• EPC9101: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9101_qsg.pdf
• LM5113LLPEVB: http://www.ti.com/tool/lm5113llpevb

eGaN FET 設計資訊及支援

• 演示板及其他設計支援: http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 下載EPC2001及所有宜普eGaN FET 數據表： http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics
• 下載LM5113資料表及LM5113LLPEVB評估板的應用手冊: http://www.ti.com/product/LM5113

宜普公司简介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟踪、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP可以找到EPC,也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates 申請定期收取EPC最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

EPC9101演示板使用具高頻開關優勢的eGaN功率電晶體,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高效率

EPC9101是一款全功能的降壓電源轉換器演示電路，實現8V-19V輸入、1.2V電壓、18A最大電流輸出及1MHz降壓轉換器，使用的元件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，並配合德州儀器公司最近推出的的100V半橋柵極驅動器（LM5113）。LM5113是業界首款專為增強型氮化鎵場效應電晶體而設計的驅動器。EPC9101演示高開關頻率eGaN FET與這個匹配的驅動器，可減小降壓電源轉換器尺寸和提高其性能。

EPC9006開發板可幫助設計工程師快速開發基於100V EPC2007的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板，我們更備有完善歸檔的技術支援資料，可供用户使用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9006開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普100V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

EPC2007採用符合RoHS (有害物質限制) 條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com )宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2007。EPC2007具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。

EPC9005開發板可幫助設計工程師快速開發基於40V EPC2014的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板， 我們更備有它的技術支援資料，並已完善歸檔。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9005開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普40V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

2011年8月23日星期二

宜普電源轉換公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率電晶體，進一步擴大其業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍

EPC2014採用符合RoHS(有害物質限制)條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。