60年以來业界首次见证全新的半导体技术以更低的成本制造出比硅器件具备更高的性能的晶体管。氮化镓（GaN）技术展示了它显著提升了晶体管的性能之外，氮化镓器件的制造成本比硅器件可以更低。由于氮化镓晶体管具备快速开关特性，在高压及大电流工作时它比任何前代的晶体管都更为优越，支持开发全新的应用。这些特性非常优越，可推动全新并改写未来的应用的出现。但是氮化镓技术的发展还是刚刚开始，它的发展前景将无可限量。

读过的文章

EDN杂志
作者：Alex Lidow
2015年1月

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

Read article

氮化镓（GaN）场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比，氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻（R_DS(on)），从而可以实现具有更高功效的功率电源，对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路，你必需理解器件的开关速度。

读过的文章

根据美国市场研究公司The Information Network指出，碳化硅及氮化镓功率半导体市场于2011年至2017年的复合年均增长率将达63%及营收预测为5亿美元。

Compound Semiconductor
2014年10月
阅读文章

氮化镓器件于2020年的销售额预期可达差不多6亿美元并大约需要制造58万片6英寸晶圆。氮化镓器件的市场将于2016年起发展迅猛，至2020年的複合年均增长率达80%，这个预期是基于EV/HEV预计从2018至2019年开始采纳氮化镓得出。于2015年至2018年，电源供电/功率因数校正将成为主要市场并将最后占氮化镓器件销售总额 50%，届时氮化镓器件于车用市场将急起直追。

Yole Development公司
2014年6月
阅读全文

业界迅速采纳基于氮化镓的功率器件，因为氮化镓器件的工作频率及开关速度是硅功率器件所不能实现的。

Power Electronics Europe
作者：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士及 David Reusch博士
2014年6月

在德州Fort Worth举行的APEC 2014年度IEEE功率电力电子研讨会已经完满结束。 该研讨会的多个议题让与会者留下深刻印象，其中一个是经历了饶具趣味的进程的氮化镓（GaN）功率晶体管。详情请访问 http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014。

Electronic Design杂志
2014年3月

杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士
日期：在2012年7月2日刊载于Power Pulse.Net网站

大约在2005年Eudyna 与Nitronex首次推出耗尽型射频晶体管时，氮化镓晶体管已经出现。之后有很多新的公司加入引进射频晶体管（如RFMD, Triquint, Cree, 飞思卡尔, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司)，以及在电源转换应用为替代功率MOSFET而设计的晶体管（如Transphorm, 国际整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普电源转换公司）。本论文主要在讨论这个热闹的科研现象是代表氮化镓晶体管已经准备好替代功率MOSFET吗？如果是，原因是什么呢？

阅读全文

Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.

By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010

Read the article

For the past three decades, Silicon-based power management efficiency and cost have shown steady improvement. In the last few years, however, the rate of improvement has slowed as the Silicon power MOSFET has asymptotically approached its theoretical bounds. Gallium Nitride grown on top of a silicon substrate could displace Silicon across a significant portion of the power management market.

By Alex Lidow, PhD
Power Electronics Europe
Issue 2, 2010

Read the article