シリコンよりも丈夫で信頼性の高いGaN

GaNデバイスの信頼性

eGaNデバイスは2010年3月から量産されており、実験室でのテストと大量に使うユーザーのアプリケーションとの両方で非常に高い信頼性を示しています。eGaNデバイスは、フィールドでの信頼性に関する優れた記録を持っています。

EPCは、広範なストレス条件にわたってGaNデバイスの動作の理解を深めるために、広範な信頼性テストを実施し続けています。

これらの信頼性研究の結果は、GaNが急速に進歩し続けている非常に丈夫な技術であることを示しています。

EPCは、GaNデバイスに厳しい信頼性基準を適用し、その結果を電力変換業界と共有することを約束しています。この知識ベースに新しい分析を定期的に追加し続けます。

GaN信頼性ウェビナーシリーズ

故障するまでのテスト手法を使って、モーター駆動用途におけるGaN FETとICの寿命を正確に予測する

故障するまでのテスト手法を使って、eGaN®デバイスを太陽光発電用途で25年以上使う方法を正確に予測する

故障するまでのテスト手法を使って、DC-DCコンバータの一般的な回路構成におけるeGaN®デバイスの寿命を正確に予測する

故障するまでのテスト手法を使って、宇宙用途におけるGaN FETとICの寿命を正確に予測する

GaN Power Bench

The GaN Power Benchは、あなたの設計プロセスを支援するために、増え続ける設計ツール、モデル、および特性シミュレーションを提供します。