eGaN®デバイスは2010年3月から量産されており、研究室でのテストおよび大量生産のユーザーのアプリケーションにおいて非常に高い信頼性を実証しています。eGaNデバイスには、現場での優れた信頼性記録があります。
EPCは、窒化ガリウム・デバイスの動作を、さまざまなストレス条件にわたって理解するために、広範な信頼性テストを実施してきました。
これらの信頼性調査の結果、GaNは極めて耐久性の高い技術であり、急速に進化し続けていることが分かります。
EPCは、GaNデバイスを厳格な信頼性基準に基づいて評価し、この結果を電力変換業界と共有することに尽力しています。当社は、この知識ベースに新しい文書を定期的に追加し続けています。
GaNの寿命モデルを拡張し、ゲート／ドレインの過電圧データ、パルス電流定格、および太陽光発電、DC-DC、Lidarの各アプリケーション向けのミッション固有の信頼性情報を追加。
フェーズ17の信頼性レポートをダウンロード
eGaN FETの評価を継続し、さまざまなストレス条件下での丈夫さに焦点を当て、加速テストに基づく故障率予測を更新。GaNデバイスの現場での信頼性経験に重点。
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高温逆バイアスや高温ゲート・バイアスなどのさまざまなストレス条件下でのeGaN FETの品質テストを紹介し、デバイスを通常条件を超えて動作させることから得られる加速係数を使った故障率予測について報告。
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初期の調査結果を拡張し、HTRB、HTGB、TC、THB、動作寿命、HBMとMMのESDテストなど、さまざまな電気的および環境的なストレス条件下でのeGaNデバイスの耐久性に関する追加データを提供。
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