氮化鎵 (GaN) FET 已經革新了電力電子產業，與傳統矽 MOSFET 相比，提供了尺寸更小、切換速度更快、效率更高、成本更低等優勢。然而，GaN 技術的快速發展有時超過了專用 GaN 閘極驅動器和控制器的開發。因此，電路設計師常常求助於為矽 MOSFET 設計的通用閘極驅動器，需要仔細考慮各種因素以確保最佳性能。

Bodo’s Power Systems
2024年2月
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