在這段來自《Power Electronics News》的影片中，半導體公司的一系列傑出演講者分享了在氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 基礎功率裝置方面的突破性發展見解。

GaN 演講者針對兩個塑造寬禁帶未來的關鍵問題進行了討論：

1. 基板材料選擇對於 GaN 基礎功率裝置的重要性。他們詳細說明了這一選擇如何影響裝置性能、可靠性和製造性，並探討了研究人員如何應對與基板相關的挑戰。
2. GaN 裝置在特定市場細分中如何超越傳統的矽基解決方案，推動其採用並揭示各自公司的技術方向。演講者包括：
   • Robert Taylor，德州儀器 (Texas Instruments) 工業應用部門應用工程師/總經理
   • Michael de Rooij，EPC 應用工程副總裁
   • Balu Balakrishnan，Power Integrations 首席執行官

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