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Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-16 Reliability Report adding new findings to the extensive knowledge base on GaN reliability and mission robustness.
EL SEGUNDO, Calif.— March 2024 — EPC announces the publication of its Phase-16 Reliability Report, documenting continued work using test-to-fail methodology and adding specific guidelines for overvoltage specifications and improving thermo-mechanical reliability.
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EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361),助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。
2024 年 2 月27日 — 全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm (EPC2361)。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET,與 EPC 的上一代産品相比,功率密度提高了一倍。
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EPC GaN FET與Analog Devices驅動器和控制器相結合,為客戶簡化氮化鎵基設計、提高其效率、降低散熱成本、助力運算、工業和消費類應用的DC/DC轉換器實現最高功率密度。
宜普電源轉換公司(EPC )宣佈推出採用EPC GaN FET和Analog Devices, Inc.(ADI)控制器的各種参考設計。
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EPC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增强消費電子產品的功能和性能
增强型氮化鎵(eGaN®)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ,包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。
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Efficient Energy Technology GmbH(EET)位於奧地利,是設計和生產創新、用於陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增强型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體(EPC2204), 用於其新型SolMate®綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷,這對於要求嚴格的硬開關應用至關重要,同時在緊凑的封裝中實現100 V的汲-源擊穿電壓。這種緊凑型設計顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流廻路和最大限度地減少EMI。
EET公司結合了EPC的氮化鎵元件和其SolMate MPPT充電轉換器,以實現多種優勢:效率損失半和整體效率從96%提高到98%。轉換器的體積縮減了70%、BOM和製造成本降低了 20%,而且同時降低了對散熱的要求。此外,由於開關頻率提高了10倍,因此無需使用易於引發問題的電解電容器,從而延長了轉換器的使用壽命。
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基於氮化鎵元件的EPC9194逆变器参考設計顯着提高了馬達控制系統的效率、扭矩而同时使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆变器非常微型,可整合到電機外殼中,從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。
宜普電源轉換公司宣佈推出三相BLDC馬達控制逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓範圍為14V~60V,可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種三相BLDC馬達控制器,包括電動自行車、電動滑板車、無人機、機器人和直流伺服馬達。
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EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC轉換器,佔板面積僅為17.5 mm x 22.8 mm,可實現 5130 W/in3 最先進的功率密度。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9159參考設計。這是一款48 V/12 V的LLC轉換器,專為48 V高功率密度伺服器電源和DC/DC轉換器而設計。該參考設計可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封裝內提供高達1 kW的功率,其功率密度為5130 W/in3。這是在初級側和次級側電路中採用於高開關頻率工作的氮化鎵(GaN)功率元件才可以實現的。
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Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions with two new 40 V devices rated at 62 A and 250 A to address critical spaceborne and other high-reliability applications.
EL SEGUNDO, Calif.— July 2023 — EPC announces the introduction of two new 40 V rated radiation-hardened GaN FETs.EPC7001 is a 40 V, 4 mΩ, 250 APulsed, rad-hard GaN FET in a small 7 mm2 footprint. EPC7002 is a 40 V, 14.5 mΩ, 62 APulsed, rad-hard GaN FET in a tiny 1.87 mm2 footprint. Both devices have a total dose radiation rating greater than 1,000K Rad(Si) and SEE immunity for LET of 83.7 MeV/mg/cm2 with VDS up to 100% of rated breakdown. These new devices, along with the rest of the Rad Hard family, are offered in a chip-scale package. Packaged versions are available from EPC Space.
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2023年7月3日中國商務部宣佈8月起對鎵、鍺相關物項的出口實施管制。宜普電源轉換公司的晶圓技術是矽基氮化鎵,儘管每個元件中有其微量鎵含量,相對全球鎵來源廣泛,宜普的需求相對較小。我們預計不會出現短期或長期的供應中斷。
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Case Spotlights Next-Gen Tech Replacing Silicon
(El Segundo, California)—Efficient Power Conversion Corporation (EPC), the global leader in gallium nitride (GaN) technology, today filed complaints in federal court and in the U.S. International Trade Commission (ITC) asserting four patents of its foundational patent portfolio against Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. and its affiliates (collectively, Innoscience). These patents cover core aspects of the design and manufacturing process of EPC’s proprietary enhancement-mode gallium nitride power semiconductor devices. These patents encompass innovations that enabled GaN-based power devices to mature from a research project to a mass-producible high-volume alternative to silicon-based transistors and integrated circuits with GaN devices having higher efficiency, smaller size, and lower cost.
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基於氮化鎵元件的EPC9186逆变器参考設計增强了高功率應用的電機系统性能、精度、扭矩扭矩和可實現更長的續航里程。
宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186,這是一款採用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC馬達控制逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用。
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宜普電源轉換公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考設計採用經過全面优化的新型模擬控制器来驅動EPC的氮化鎵場效應電晶體,可實現超過96.5%的效率。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈新推EPC9158,這是一款工作在500 kHz開關頻率的雙輸出同步降壓轉換器参考设计,可將48 V~54 V的輸入電壓轉換為12 V穩壓輸出,可提供高達每相25 A電流或50 A總連續電流。ADI的新型LTC7890同步氮化鎵降壓控制器与EPC的超高效GaN FET相结合,可為高功率密度應用提供佔板面積小且非常高效的解決方案。該解決方案在48 V/12 V 、50 A連續電流下可實現 96.5%的效率。
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EPC’s GaN Experts will be available during PCIM Europe 2023, showcasing the latest generation of GaN FETs and ICs in a wide variety of real-world applications.
EL SEGUNDO, Calif. — April 2023 — — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs,will be delivering multiple technical presentations on GaN technology and showcasing applications at PCIM Europe 2023 in Nuremburg, 09 – 11 May (see detailed schedule below). In addition, the company will demonstrate its latest eGaN® FETs and ICs in a large variety of customer end products in Hall 9, Stand 318.
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Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions with two new devices rated at 100 V and 200 V to address a multitude of critical spaceborne and other high-reliability .
EL SEGUNDO, Calif.— April 2023 — EPC announces the introduction of two new radiation-hardened GaN FETs. The EPC7020 is a 200 V, 11 mΩ, 170 APulsed, rad-hard GaN FET in a small 12 mm2 footprint. The EPC7003 is a 100 V, 30 mΩ, 42 APulsed, rad-hard GaN FET in a tiny 1.87 mm2 footprint. Both devices have a total dose radiation rating greater than 1,000K Rad(Si) and SEE immunity for LET of 83.7 MeV/mg/cm2 with VDS up to 100% of rated breakdown. These new devices, along with the rest of the Rad Hard family, EPC7019, EPC7014, EPC7004, EPC7018, EPC7007, are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN® FET and IC family. Packaged versions will be available from EPC Space.
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宜普電源轉換公司(EPC) 擴展了其封裝兼容的ePower™ IC系列,提高功率密度和簡化設計以滿足DC/DC應用、馬達控制器和D類音頻放大器的不同功率要求。
繼早前推出的100 V、35 A功率級IC(EPC23102)之後,EPC公司新推兩款100V功率級IC,其額定電流分別為15 A(EPC23104)和25 A(EPC23103)。
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EL SEGUNDO, Calif.— March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.
EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.
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EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。
宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者,將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講,詳情請參閱下方時間表。此外,我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN®FET和IC,其應用範圍包括高功率密度計算、電動汽車、機器人、太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合,可現成交付。
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EPC推出EPC9177,這是一種基於eGaN®IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計,可滿足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28V~48V輸入電壓轉換至12 V或20 V輸出電壓的嚴格要求。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9177,這是一款數位控制、單輸出同步降壓轉換器参考設計,工作在 720 kHz開關頻率,可轉換 48 V、36 V、28 V至稳壓12 V 輸出電壓,並提供可高達20 A的連續輸出電流。
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