2014年5月12日
應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產,其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。
雜誌:Bodo’s Power Systems 作者:Alex Lidow 2014年5月