隨著功率轉換器需要更高的功率密度，電晶體必須配合不斷在縮減的電路板面積。氮 化鎵（GaN）功率電晶體除了可以提高電源效率外，它們也必須具備更高的熱效率。在 這篇文章中，我們探討採用晶片級封裝的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN ^®FET） 的熱性能，並與最先進的Si MOSFET比較兩種元件的電氣性能和熱性能。

Bodo's China
2016年10月
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