2016年12月5日
本系列的第四章中,我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是,我們需要瞭解有閘極偏置時,元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵(GaN)場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上,從而分析該元件在失效前的性能。
Planet Analog Chris Jakubiec 2016年11月29日 閱讀全文