2020年6月10日
在超過四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新,可滿足不斷增長的電力需求,因此改善了電源管理的效率和成本。 然而,在這新世紀的發展,隨著矽功率MOSFET元件已經接近其理論極限,其改進速度已大為減慢。 與此同時,一種全新材料 - 氮化鎵(GaN)- 正朝著新的理論性能領域的方向,穩步發展,其性能是老化的MOSFET元件的6,000倍,以及是目前市場的最優越GaN元件的300倍。
EETimes 2020年6月 閱讀全文