2020年11月3日
氮化鎵(GaN)技術已實現重大改進,而且它極具成本效益,可以替代MOSFET元件。 從2017年開始,採用氮化鎵元件的48 V DC/D轉換器開始成為市場上重要的應用。 各種拓撲諸如多相和多級降壓轉換器,實現具備更高效率的全新解決方案,可以滿足IT和汽車市場的能源需求。
Power Electronics News 2020年11月 閱讀全文