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高頻 100 V GaN 馬達驅動器將低壓運動控制提升到新水平

2026年9月8日

高頻 100 V GaN 馬達驅動器將低壓運動控制提升到新水平

作者:宜普電源轉換公司(EPC)市場傳播總監 Maurizio Di Paolo Emilio,以及馬達驅動市場與系統工程副總裁 Marco Palma

工業自動化、協作機器人、自主移動機器人(AMR)、無人機和精密伺服系統的快速發展,正推動新一代低壓馬達驅動器的發展,以實現更高效率、更高功率密度以及更優異的動態性能。過去,矽 MOSFET 一直是這一電壓範圍內最常用的開關技術,而如今,氮化鎵(GaN)功率元件可實現能夠在更高開關頻率下運作的逆變器架構,從而提高馬達效率,同時避免傳統矽元件在高開關頻率下通常面臨的效率損失。

馬達驅動器的設計要求與資料中心電源轉換器不同,因為它們必須同時最佳化多個性能參數。除了效率之外,設計最佳化還必須兼顧低轉矩漣波、低聲學雜訊、高電流迴路頻寬、低電磁干擾(EMI)、複雜的熱管理以及整體系統尺寸的縮小。最新的 100 V GaN 功率級顯示,透過對功率元件以及周邊系統架構進行精心最佳化,可以同時實現這些目標。

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