2013年4月5日
與基於傳統MOSFET的設計相比，基於氮化鎵場效應電晶體的負載點降壓轉換器能夠通過優化印刷電路板的版圖而減少寄生電阻，從而提高效率、加快開關速度及減少器件的過沖電壓。
詳情請瀏覽http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。