業界迅速採納基於氮化鎵的功率器件，因為氮化鎵器件的工作頻率及開關速度是矽功率器件所不能實現的。

Power Electronics Europe
作者：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士及 David Reusch博士
2014年6月

Dr. Glaser will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs^® for high frequency, high performance power conversion systems

EL SEGUNDO, Calif.—June 2014 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. John Glaser has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.

According to the latest report from Yole Développement, the GaN power industry is set for significant growth in the future.

Compound Semiconductor
June 12, 2014
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Yole Développement interviewed Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Yole Développement
June, 2014
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High frequency enhancement mode transistors, such as the EPC8000 series eGaN^® FETs from EPC, have been widely available since September 2013 and enable simplified designs at RF frequencies. In this installment, we present the RF characteristics of the EPC8000 series devices and show their implementation in a pulsed class A amplifier. The amplifier is pulsed to allow operation within the thermal operating limits of the device, since RF device power dissipation is typically on the same order of magnitude as the RF power delivered, unlike switching devices, such as the EPC8000 series, that operate well above 95 % efficiency. The EPC8000 series FETs, designed originally for switching power conversion applications, otherwise exhibit excellent RF characteristics and in conclusion will be compared with similar specified LDMOS.

EEWeb
By: Alex Lidow
May 29, 2014

矽半導體技術的供應鏈已經投放超過千億美元，使得它難以置信地極具效率。製造新興的高性能氮化鎵電晶體如何在這方面可與矽器件匹敵？答案很簡單，我們利用矽器件的現有供應鏈來製造氮化鎵器件，因此可大大降低氮化鎵電晶體的製造成本。

Power Systems Design
作者：Alex Lidow
2014年 5月 27日

DrGaN^PLUS EPC9202開發板內含100 V、具高頻開關性能的氮化鎵（eGaN^®）功率電晶體，輸出電流為10 A，該板的尺寸極細小並可提高電源轉換效率

宜普電源轉換公司推出 DrGaN^PLUS 系列評估板，為功率系統工程師提供易於使用的工具以評估氮化鎵電晶體的優越性能。這些板所實現的設計概念是把一個半橋電路所需的所有元件集成在單一個極細小、基於印刷電路板的模組，使得易於裝貼，從而實現採用氮化鎵電晶體的優越功率轉換解決方案。

第一塊DrGaN^PLUS EPC9202開發板為100 V、10 A 半橋功率轉換器，工程師可以立即及易於使用，只需“plug and play”開發板便能評估高性能氮化鎵電晶體，例如常見於通信應用的電源轉換是當Vin 是48 V 及 Vout 是 12 V時，該板可實現97% 的峰值效率。

EPC9202開發板可以由單個PWM輸入來驅動，內含兩個氮化鎵場效應電晶體（EPC2001）、德州儀器公司的LM5113驅動器及高頻輸入電容。DrGaN^PLUS板的尺寸極細小，每邊只是稍微大於9 mm，並可以直接裝貼在印刷電路板上。我們特別設計它配備最優版圖，從而把共源電感及高頻功率換向環路電感的影響減至最低。

宜普電源轉換公司首席執行官及共同創始人Alex Lidow說「我們很高興推出 DrGaN^PLUS 開發板系列中內含氮化鎵場效應電晶體的第一塊EPC9202 開發板。 除了具備更高性能、更低成本及高可靠性的優勢外，對於採納全新技術來說，易用性是非常重要的因素。現在功率轉換系統設計工程師可以利用DrGaN^PLUS開發板易於在他們的功率系統電路對氮化鎵電晶體的優勢進行評估 」。

隨EPC9202開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的網上速查指南，內載有詳細資料包括設置步驟、電路圖框、性能曲線及材料清單。

EPC9202開發板的單價為45美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買，網址為 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• 速查指南 - http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9202_qsg.pdf
• 關於EPC2001及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載： 閱讀全文

IEEE功率電子協會（PELS）將於6月4日舉行線上研討會，屆時Alex Lidow及Michael de Rooij將討論eGaN®功率電晶體如何提高無線電源傳送系統的效率。

氮化鎵電晶體設計及應用專家宜普電源轉換公司（EPC）將於6月4日在美國東部夏令時間（EDT）早上10時30分至11時30分舉行一小時線上研討會，由IEEE學會的功率電子協會（PELS）贊助。

應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產，其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。

雜誌：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow
2014年5月

在過去幾年間，無線電源傳送應用逐漸流行，尤其是替可擕式裝置充電的應用。宜普公司在本章討論使用鬆散耦合線圈、高度諧振的無線電源解決方案，符合A4WP標準並適合工作在免執照、給工業、科學及醫療用電器設備（ISM）使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。

雜誌：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月

Produced by industry experts, EPC has posted an eleven-part educational video podcast series on the theory, design basics and applications for gallium nitride power transistors.

EL SEGUNDO, Calif. – April 2014 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) has created and posted on line an eleven-part educational video podcast series designed to provide power system design engineers a technical foundation and application-focused toolset on how to design more efficient power conversion systems using gallium nitride-based transistors.

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。

This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow 將與工程師分享專為工作在10 MHz頻率範圍而設的全新增強型氮化鎵（eGaN^®）高電子遷移率電晶體系列，由於這些電晶體在經過輻射照射後仍然具高可靠性，因此它們是高可靠性應用的理想器件。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將在四月三日於美國南卡羅來納州的Charleston市舉行的第39屆GOMACTech年度研討會演講。

在德州Fort Worth舉行的APEC 2014年度IEEE功率電力電子研討會已經完滿結束。 該研討會的多個議題讓與會者留下深刻印象，其中一個是經歷了饒具趣味的進程的氮化鎵（GaN）功率電晶體。詳情請訪問 http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014。

Electronic Design雜誌
2014年3月

Electronic Design雜誌編輯Don Tuite訪問Alex Lidow，內容涵蓋EPC公司的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的最新及新穎應用。

Electronic Design雜誌
2014年3月
觀看視頻

EPC公司Michael de Rooij與Power Systems Design 雜誌編輯Alix Paultre分享無線電源傳送解決方案

Power Systems Design雜誌
2014年3月
觀看視頻

Yole Développement市場研究公司將於本星期發表關於“矽襯底氮化鎵基技術及LED與功率電子市場”研究報告。分析員相信功率電子應用將普遍採納矽基氮化鎵技術。功率電子市場所涵蓋的應用包括交流-直流或直流-交流電源轉換，這些應用皆面對很大的電源損耗並隨著更高功率及更高工作頻率而增加。由於目前的矽基技術已接近其極限，因此很困難達到業界所需的更高要求。

詳情請訪問 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html。

宜普公司專家將于三個業界技術研討會演講：第十三屆慕尼克上海電子展 - 國際電力電子創新論壇、IIC電子工程盛會 - 2014年春季論壇及臺灣寬能隙電力電子研發聯盟舉辦的寬能隙電力電子國際研討會。

矽基增強型功率氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月