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於2014年IEEE的APEC功率電力電子業界研討會中，宜普電源轉換公司的應用技術專家將分享氮化鎵場效應電晶體技術如何于應用中比矽功率MOSFET器件優勝。
矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於2014年APEC技術研討會以應用為主題進行三場技術演講，與參與者分享高頻諧振轉換器及高頻、硬開關功率轉換器設計。研討會將於3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。
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EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.
EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm2 with 100 VDS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum RDS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.
EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014
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Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.
Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014
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EPC9013開發板內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種35 A最大輸出電流並採用四個半橋式配置的電路設計及配備一個板載柵極驅動器。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新開發板 EPC9013 ，內含100 V增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2001），使用四個半橋式並聯配置及一個板載柵極驅動器，以降壓模式工作在達35 A最大輸出電流。這種創新設計可增加輸出功率之同時並不會降低效率。
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本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。
EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月
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Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.
Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014
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宜普電源轉換公司的元件模型被納入國家儀器公司最新推出的Multisim 13.0，已為數千名工程師提供一個易於使用的環境，用以模擬採用EPC元件的功率轉換系 統，從而提高功率系統效率、縮小產品尺寸及降低設計功率轉換系統的開發成本。
矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司宣佈其增強型功率氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）SPICE模型被收納入國家儀器（NI）最新 推出的 Multisim 電路類比及設計軟體。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進功率轉換系 統的應用中易於計算、改變及查尋參數。
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本章我們回到討論硬開關轉換器，但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作，超越矽技術的實際限制。
EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月
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基於40Ｖ氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統
宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項，分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。
“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項，表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板，並備有完善歸檔的技術支援資料，使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持！”宜普公司首席執行長
Alex Lidow說。
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EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體，展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。
宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。
EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。
EPC9106開發板的超小型電源模組（11 mm x 11 mm）包含氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）、驅動器、電感器及輸出／輸入電容。尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。
客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣，我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫：
氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])[email protected])
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在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。
Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月
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增強型氮化鎵場效應電晶體商用化已經超過四年，並不斷滲透及進駐本來被矽功率MOSFET器件所壟斷的應用領域。
Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月
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宜普公司的增強型氮化鎵場效應電晶體備受推薦，其商用高鉛含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件現在可以在網上購買。
宜普公司（www.epc-co.com.tw）推出帶高鉛含量焊錫端子的器件，非常適合要求更高焊接溫度的應用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中鉛含量為95%，而錫含量為5%。
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With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.
October, 2013
Bodo's Power Systems
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我們在本章討論在隔離型直流-直流功率轉換中使用更複雜的硬開關轉換器。
EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月
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封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，並增加阻抗和電感，從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝，使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比，具有相同成本的優勢。
雜誌：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月
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Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.
EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.
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