Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.

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EPC2101單片半橋式氮化鎵功率電晶體爲功率系統設計師提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化鎵元件可推動28 V轉至1 V幷在500kHz頻率開關的全降壓型轉換器可以在14 A輸出電流時實現接近87%系統效率，以及在30 A輸出電流時可以實現超過82%效率。同時，與使用離散元件的解决方案相比，電晶體的占板面積减少50%。

宜普電源轉換公司宣佈推出60 V增强型單片半橋式氮化鎵電晶體（EPC2101）。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積减少50%。結果是增加效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101 最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。

在EPC2101半橋式元件內，每個元件的額定電壓是60 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（R_DS(on)）的典型值是8.4 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得具有高V_IN/V_OUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用芯片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。

開發板

EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2101集成半橋式元件，使用德州儀器公司的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳開關性能並設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。

價格及供貨詳情

購買1000件EPC2101單片半橋式元件的單價爲$6.92美元。EPC9037 開發板的單價爲$137.75美元。以上的産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht購買。

關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持

• 下載EPC2101數據表
• 下載EPC9037速查指南
• 應用筆記：氮化鎵集成元件可實現更高直流-直流效率及功率密度：http://bit.ly/EPCan018
• 視頻：利用整合式氮化鎵功率元件提高效率及功率密度https://www.youtube.com/user/EPCCorporation

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates )，定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ( [email protected])

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氮化鎵（GaN）場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比，氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻（R_DS(on)），從而可以實現具有更高功效的功率電源，對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路，你必需理解元件的開關速度。

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EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率，以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2105）。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。

在EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻（R_DS(on)）典型值是10 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得元件在具有高V_IN/V_OUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。

開發板

EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2105整合式半橋元件，內含德州儀器栅極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。

價格及供貨詳情

批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht）購買。

關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持

• 下載EPC2105數據表
• 下載EPC9041速查指南
• 應用筆記：氮化鎵集成元件可實現更高直流-直流效率及功率密度：http://bit.ly/EPCan018
• 視頻：利用集成式氮化鎵功率元件提高效率及功率密度https://www.youtube.com/user/EPCCorporation

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates )，定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.

EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014

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EPC9118演示板展示採用具高頻開關優勢、電源電壓在48 V或以上的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可易於實現更小型及具更高效率的電源轉換解决方案。

宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 --EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓並转至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它採用EPC2001 及EPC2015增强型氮化鎵（eGaN^®)場效應電晶體（FET）及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電訊、工業及醫療應用所需的配電解决方案的理想設計。

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根據美國市場研究公司The Information Network指出，碳化矽及氮化鎵功率半導體市場於2011年至2017年的複合年均增長率將達63%及營收預測爲5億美元。

Compound Semiconductor
2014年10月
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宜普公司爲功率系統設計師提供一種上升時間爲2奈秒(ns)幷面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出300 V功率電晶體（EPC2025），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高效率及更高功率密度。受惠於更高開關速度的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療應用的診斷儀器、功率逆變器及照明應用的發光二極管等。

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在下一代功率電晶體當中，氮化鎵（GaN）技術爲可替代矽MOSFET元件的其中一種技術。 當矽技術在性能上已經達到它的極限時，氮化鎵元件具更卓越的傳導性能及更快速開關性能。Alex Lidow在本播客將討論氮化鎵與矽功率元件的差异。

Power Electronic TIPS
2014年９月

EPC2100氮化鎵功率電晶體爲系統設計師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉換器系統在500 kHz、12 V轉1.2 V、10 A時實現接近93%峰值效率，以及在25 A時效率可高于90.5%。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2100- 第一個可供商用的增强型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（R_DS(on)）典型值是6 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一，具高V_IN/V_OUT比，在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。

宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列，可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域，集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」

開發板

EPC9036開發板 的尺寸爲2英寸 乘 2英寸，包含一個EPC2100集成半橋元件，採用德州儀器的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能幷設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。

價格及供貨

EPC2100單片式半橋元件的價格在一千批量時的單價爲$5.81美元。

EPC9036開發板的單價爲$137.75美元。

以上産品已經可以供貨，可透過Digikey公司購買，網址爲http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持

• 下載EPC2100數據表
• EPC9036 速查指南/a>
• 應用筆記：氮化鎵集成元件可實現更高直流-直流效率及功率密度：http://bit.ly/EPCan018
• 視頻：利用集成氮化鎵功率元件提高效率及功率密度https://www.youtube.com/user/EPCCorporation

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates )，定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ( [email protected])

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On September 3^rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3^rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

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本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外，我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年8月

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Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.

Compound Semiconductor
July, 2014
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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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由於氮化鎵場效應電晶體（（eGaN^® FET）具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振幷符合Rezence (A4WP) 規格的無綫電源傳送系統的理想器件，可提高系統的效率。

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氮化鎵（eGaN^®）功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

客戶要在Twitter取得這個推文，請在Twitter使用「http://bit.ly/EPCXLPR1407」及標簽「#GaNFET」。

宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻（R_DS(on)）並可增强輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點（POL）轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。