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回顧氮化鎵與MOSFET功率器件比拼文章（共16章）

Posted 2013年7月11日

當一種全新技術出現，如果認為工程師可以憑直覺知道如何有效及快速地實現這種具備更高性能的技術的優勢是不合理的，因為新技術必然有其學習曲線，氮化鎵技術也不例外。

氮化鎵場效應電晶體技術在2010年中從宜普公司推出業界第一種商用氮化鎵電晶體開始，提供予廣大電源轉換工程界使用。此後，宜普公司在繼續發展其產品系列之同時與系統設計工程師分享如何實現氮化鎵技術的優勢，其中一個教育專案是與Power Electronics雜誌合作，每兩個月撰寫關於氮化鎵技術的特性及其應用的文章。

這一系列文章名為“氮化鎵場效應電晶體與矽電源器件比拼文章”，專題探討使用氮化鎵器件的基本問題及獨特應用。 現在讓我們回顧共16章的文章，以幫助工程師加快其學習曲線之同時使我們知道需要什麼新議題及研究來推動採用氮化鎵技術，正如學習是永無休止的。

作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士、應用工程行政總監Michael de Rooij博士及應用總監David Reusch博士

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宜普電源轉換公司（EPC）推出內含氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）、電源效率為96%的1MHz降壓轉換器演示板

Posted 2013年6月19日

EPC9107 演示板展示如何使用具備高開關頻率的氮化鎵功率電晶體以縮小尺寸及提高電源轉換效率

宜普公司在二零一三年五月宣佈推出全功能降壓電源轉換演示板（EPC9107）。該板展示輸入電壓為9V至28V、當電源電壓為3.3V時可提供15 A的電流的1 MHz降壓轉換 器，內含 EPC2015氮化鎵場效應電晶體，並配合德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。當使用了這個專為驅動氮化鎵電晶體而設的驅動器，EPC9107 展示具有高開關頻率的氮化鎵場效應晶體可實現 縮小尺寸及提高性能等優勢。

EPC9107演示板的面積為3平方英寸，內含全閉環降壓轉換器，並具備經過優化的控制環路，而放置在僅半英寸x半英寸極緊湊的版圖上的全功率級，包含了氮化鎵 場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容，以展示使用氮化鎵場效應電晶體並在配備驅動氮化鎵器件的驅動器LM5113的條件下可實現的卓越性能。

演示板雖然細小，其最大電源效率超過96%，當電源電壓為3.3V時可以提供15A的電流。為幫助設計工程師， 我們設計這個易於安裝的演示板並具備多個探測點， 以便測量簡單的波形和計算效率。

隨EPC9107演示板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf， 配備安裝步驟、電路圖表、性能曲線及BOM等資料， 幫助使用者可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的單價為195.94美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、 無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected]) 

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氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第14章第1部分：氮化鎵場效應電晶體的小信號射頻性能

Posted 2013年6月3日

雖然氮化鎵場效應電晶體被設計及優化為一種開關功率器件，但該電晶體也具備良好的射頻特性。 本章是關於氮化鎵場效應電晶體在200 MHz至2.5 GHz頻率範圍的射頻特性的第1部分。

作者：宜普公司應用工程行政總監Michael de Rooij博士、產品應用副總裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless總裁Matthew Meiller

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Exploring gallium nitride technology

Posted 2013年5月21日

雜誌：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作為替代MOSFET器件的氮化鎵（GaN）功率器件在商用直流-直流電源轉換的應用已發展了三年，隨著氮化鎵器件暫露頭角，加上以前使用MOSFET的場效應電晶體而不能實現的應用也可以使用氮化鎵器件來實現，對於氮化鎵功率器件的開發者來說，以前想不到及還沒有開發的全新應用將提供大有可為的發展機遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

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氮化鎵器件與矽功率器件比拼第十三章第二部分：最優化的印刷電路板版圖

Posted 2013年4月5日

與基於傳統MOSFET的設計相比，基於氮化鎵場效應電晶體的負載點降壓轉換器能夠通過優化印刷電路板的版圖而減少寄生電阻，從而提高效率、加快開關速度及減少器件的過沖電壓。

詳情請瀏覽http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

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矽、氮化鎵與碳化矽器件的比拼：我的功率設計應該選用哪一個製程及供應商？

Posted 2013年3月21日

雜誌：EDN
作者：Steve Taranovich
日期：２０１３年３月１５日

隨著功率元件不斷的演進，領先開發者之間的競賽更趨白熱化。業界專家認為在２０１３年中大約有一半的氮化鎵、矽及碳化矽器件的供應商將在製程方面取得進展、提供全新結構及性能，進而為業界提供全新選擇及開發工具。詳情請瀏覽http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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Paultre on Power - Power GaN

Posted 2013年3月20日

作者 ：Alix Paultre
雜誌 ：Power Systems Design

這個podcast的內容是關於我們與宜普電源轉換公司Alex Lidow的談話內容，Alex主要分享全新氮化鎵器件的技術及它們對電源業界的影響。宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，應用範圍包括負載點轉換器、以太網供 電、伺服器、電腦應用的直流-直流轉換器、LED高效照明、行動電話、射頻傳送、太陽能微型逆變器及D類音訊放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

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宜普推出內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）開發板

Posted 2013年3月14日

EPC9010開發板採用專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的柵極驅動器，幫助工程師利用100 V的EPC2016氮化鎵場效應電晶體快速設計出高頻開關電源轉換系統。

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年3月宣佈推出EPC9010開發板。這種開發板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體（FET）來設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬開關和高頻電路。

EPC9010開發板是一種100 V峰值電壓、7 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2016增強型氮化鎵場效應電晶體，並同時配合板載柵極驅動器。推出EPC9010開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程，因為板上集成了所有關鍵元件，因此易於與目前任何轉換器連接。

EPC9010開發板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2016 氮化鎵場效應電晶體及德州儀器的柵極驅動器（LM5113），而且包含電源和旁路電容。EPC9010開發板集成了所有關鍵元器件及佈局，以實現最優開關性能。電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。

隨開發板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用戶可以更容易使用開發板。

EPC9010開發板的單價為99.18美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度

Posted 2013年3月14日

宜普產品應用總監David Reusch博士 /銷售及推廣副總裁Stephen L.Colino

在24 V直流系統裡採用的傳統負載點轉換器，設計工程師需要權衡使用一個高成本的隔離型轉換器及使用一個低頻及低效的降壓轉換器。與通常在電腦系統裡使用的12 V負載點轉換器相比，較高壓的24 V負載點轉換器因為需要考慮開關節點的振鈴而需增加場效應電晶體的電壓至最少達40 V，以及增加換向損耗及輸出電容損耗。宜普公司的氮化鎵場效應電晶體由於具備超低QGD性能，從而可實現低換向損耗，並具備低QOSS性能，以實現較低輸出電容損耗。

此外，宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具備創新的晶片級柵格陣列封裝，在高頻功率環路及閘極驅動環路，及最重要的在這些環路的共通路徑（稱共源電感）都可容許超低電感，從而把換向損耗減至最低。氮化鎵器件的低電荷及共源電感可幫助設計工程師通過提高頻率使功率密度得以提高而並沒有像傳統MOSFET器件那樣需要折衷效率。

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