全新氮化镓技术推动了无线电源传送应用的发展。近来在A4WP及PMA的合并下，工程师们对该发展尤感兴趣。 本访问涵盖了饶富兴味的问题并解答了氮化镓器件何时会备受半导体业界广泛采纳。访问的内容包括氮化镓器件的优势、成本如何可以更低、最新器件的创新性、器件可以工作在高频的条件下而具备小尺寸、优越的散热管理、氮化镓的市场如何可以超越硅器件的市场及氮化镓技术的未来发展等。

功率系统设计
2015年6月24日
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If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
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硅基晶片的发展因为受到技术及经济因素的影响而变得缓慢。业界利用全新的氮化镓材料所具备的优势解决这个问题。虽然各家公司致力于找出可制造尺寸更小的硅晶体管的方法，但是未能减低成本及解决在功耗方面的问题。宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow认为相比硅器件，由于氮化镓器件的开关可以更快速及在更高压的条件下工作，因此氮化镓材料在功率转换应用中尤为优胜。

华尔街日报
2015年6月22日
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功率转换需要制造细小的器件以从电力的一种形式转换至另外的一种形式，从而使得所有电子设备运行顺畅。 直至目前为止，硅器件是功率转换的首选器件，但是当它的效率达到极限时，业界转而关注全新材料的发展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）之前在松散耦合式无线电源传送解决方案中，展示了在采用零电压开关(ZVS)D类或E类放大器拓扑并工作在on-resonance条件下，该些晶体管具有较高的效率。然而，可行的无线电源系统需要满足这些系统的易用性的要求，结果是反射式线圈阻抗在负载和耦合变化时显著偏离谐振。由于这些系统仍然需要向负载供电，因此放大器需要在宽阻抗范围内驱动线圈。诸如A4WP第三等级的规范定义了可以满足易用性因素、宽泛的线圈阻抗范围，并且可以用作比较放大器的性能的起点。

本章根据A4WP第三等级的标准对ZVS D类及E类放大器拓扑在6.78MHz频率下进行测试并通过缩小了的阻抗范围来判断固有的工作范围极限。诸如器件的温度和电压极限等因素将确定每个放大器能够驱动线圈的负载阻抗范围。

Bodos China
宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士
2015年6月
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Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow与Power Systems Design杂志编辑Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，实现具备优越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。

听面试
Power Systems Design
2015年4月29日

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow一直专注于制造创新产品，目的在延长摩尔定律的寿命。Intel及业界认为传统硅晶片技术已经达到顶峰 --不久有公司将制造出一种硅材料可以实现的低成本及高效的晶片。Lidow说他找出一种比硅在很多方面都更为优胜的半导体材料--氮化镓材料（GaN）。氮化镓晶片无论是在实验室或实际上的多个范例都比硅晶片优越、具备更低的制造成本及使用现有制造硅晶片的基础设施，而且氮化镓器件更为稳固及需要更少的保护性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

半导体业界资深人士及宜普电源转换公司（EPC）首席执行官Alex Lidow说：「摩尔定律现正蜕变为预测全新的半导体材料的性能定律。EPC氮化镓（GaN）晶体管有机会替代硅器件。氮化镓材料是一种更好的电子导体，在性能及功效方面比硅更为优越。」氮化镓器件已经用于电源转换及无线通信等领域，它将有一天成为数字芯片。Lidow说：「60年以来首次出现采用优越材料的器件而不只是在更小尺寸方面发展。」

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Network World
2015年4月17日

摩尔定律的预测已经变成自我应验的预言。芯片的运算性能不仅仅是已经在每两年/24个月得以倍升，它必需在每24个月内倍升才可以使科技业界及整个经济不致陷入苦境、阻遏创新及经济发展进程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

芯片的发展推动了一个又一个的技术大变革：个人电脑、互联网、智能手机、智能手表及即将推出的自动驾驶汽车。 宜普电源转换公司（EPC）是一间把它的将来押注在III-V氮化镓材料上的创始公司，其首席执行官Alex Lidow带领着一支34人的专业团队创建公司。该公司的业绩继续保持稳定增长，产品是采用III-V氮化镓（GaN）材料层的晶体管。 在2016或2017年，Lidow预计氮化镓器件的制造工艺可以包含计算机处理器内负责思考的逻辑电路。Lidow认为「与传统的硅器件相比，氮化镓器件所具备的电力特性使你立即可以取得1000倍改进产品性能的机会。」

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CNET.com
2015年4月17日

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普电源转换公司（EPC）的发展。一直以来，硅保留了它对半导体行业发展的影响力。在过去的60年里，晶体管所使用的半导体材料以硅为首选。晶体管就是细小的开关，它是驱动信息时代发展的动力。硅谷也以此材料而命名，而且许多公司藉着它打造出价值十亿元的王国。现在我们把眼光移离硅元素 -- 它最终有可能处于被取替的边缘。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

从业界的观点来看，只有可以为人类提供效益及性能优势的技术才能够生存。 主流技术CMOS就是一直为业界提供无比的益处而得以长存。 当下的问题是CMOS技术将会变成夕阳产业吗？新兴的氮化镓技术终于能够打破阻碍氮化镓功率器件普及化的成本障碍。根据2015年DesignCon研讨会的主讲嘉宾所描述，氮化镓技术可推动宽泛范围的新兴应用的发展，包括从无线充电、全自动汽车以至更高效的移动通信等应用。

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EETimes Asia
2015年2月

60年以來业界首次见证全新的半导体技术以更低的成本制造出比硅器件具备更高的性能的晶体管。氮化镓（GaN）技术展示了它显著提升了晶体管的性能之外，氮化镓器件的制造成本比硅器件可以更低。由于氮化镓晶体管具备快速开关特性，在高压及大电流工作时它比任何前代的晶体管都更为优越，支持开发全新的应用。这些特性非常优越，可推动全新并改写未来的应用的出现。但是氮化镓技术的发展还是刚刚开始，它的发展前景将无可限量。

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EDN杂志
作者：Alex Lidow
2015年1月

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.

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