微型逆變器和功率優化器廣泛應用於現代太陽能板，以最大化能量效率和轉換。這種拓撲和實施通常需要至少25年的壽命，這對市場採用來說是一個關鍵挑戰。低電壓氮化鎵（GaN）功率裝置（VDS額定值< 200 V）是一個有前景的解決方案，越來越多的太陽能製造商正在廣泛使用這些裝置。

在本文中，採用測試至失效的方法來調查氮化鎵晶體管的內在磨損機制。該研究使得基於物理的壽命模型得以開發，這些模型可以準確地預測在各種太陽能應用中的獨特任務剖面下的壽命。

How2Power
2023年8月
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