電力電子學中最古老的挑戰之一是將多個晶體管並聯，以獲得更高電流的開關。這項任務很少是簡單的，因為兩個或更多的晶體管從來不會表現出完全相同的電氣參數，這阻止了電流的均勻分配。
對於早期的功率轉換器設計者來說，這項壇業更加艱難，因為當時可用的元件是電流驅動的雙極性接面晶體管（BJTs）。這意味著無法利用內在的穩定效應來幫助實現均勻的電流共享。事實上，所需的基極-射極電壓（VBE）隨著溫度的增加而降低（-2 mV/°C）—在正常操作下—因此即使是輕微的不平衡也會導致VBE較低的晶體管導通更多的電流並進一步加熱，導致故障。
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在這段影片中，您將看到與Alex Lidow的對話 - 他在國際整流器公司期間發明了原始的功率MOSFET和HEXFET。Alex後來成為了他父親創立公司的CEO，今天是高效能功率轉換（EPC）的創始人兼CEO，該公司以生產市場上一些最高效的GaN FETs而聞名。在討論中，您將聽到功率MOSFET是如何在Alex工作的第一天被發明的故事，以及這一突破是如何塑造現代功率電子技術的。
對話還深入探討了矽物理學、GaN技術的興起，以及人工智能數據中心和人形機器人日益增長的電力需求，提供了一個引人入勝的觀點，將功率半導體的起源與推動計算和電氣化未來的技術連接起來。
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本文探討了寄生電容對鎵氮化物(GaN)場效應晶體管(FETs)在並聯配置中動態電流共享行為的影響。隨著GaN技術在高性能電力電子系統中的持續崛起，並聯多個裝置已成為增加電流處理能力的常見策略。
Salvatore Musumeci 博士, Vincenzo Barba 博士, Michele Pastorelli 教授, Marco Palma 碩士
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在過去十年中，AI 工作負載一直依賴於並非為其快速成長的功率需求而設計的伺服器架構。近年來，「AI 工廠」的概念逐漸興起，將資料中心重新定義為以生產力為導向、並針對高運算密度進行最佳化的系統。
Bodo’s Power Systems 2026 年 3 月 閱讀 Alejandro Pozo 和 Michael De Rooij 的文章
EPC33110 是一款三相模組，採用氮化鎵 (GaN) 單晶集成電路，使得電機驅動變流器的體積更小、更輕。其緊湊的設計非常適合無人機和仿人機器人應用，支持比傳統基於矽的變流器更高的切換頻率，最終提升系統的尺寸、重量和性能。
Bodo’s Power Systems 2025年12月 閱讀文章
隨著下一代GaN晶體管在40伏至15伏範圍內的操作，RDS(on)規格已達到數百微歐姆的驚人水平，顯著超越了同等尺寸的功率MOSFET。為了充分利用這些超低阻抗FET的優勢，精心的PCB布局至關重要，以防止任何可能削弱其性能的額外阻抗。本文將研究GaN FET的各種布局策略，分析不同PCB配置對每種設計增加的阻抗如何影響。
Bodo的電力系統 2025年10月 閱讀文章
我們三部分系列的最後一部分探討了伺服器電源供應中的隔離 DC-DC 階段。該設計具有四個 LLC 模組，採用輸入串聯、輸出並聯（ISOP）配置，能夠在 400 VDC 總線和 50 VDC 輸出之間處理高達 5.5 kW 的功率。這種固定比例轉換器為先進的伺服器電源架構提供了電氣隔離和高性能。
Bodo’s Power Systems 2025年9月 閱讀文章
在接受《功率电子新闻》的采访时，EPC的电机驱动系统及应用部门主管马可·帕尔马指出，EPC91118支持每相最高15 Arms的三相BLDC电机，输入电压从15伏至55伏直流。值得注意的是，完整的功率级、传感、控制和通信功能都集成在直径为32毫米的电路板上，为电机控制的微型化设定了新的标准。
功率电子新闻 2025年7月 阅读文章
GaN FET 正在徹底改變電力電子技術 —— 比矽 MOSFET 更快、更小、更便宜。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋為什麼 GaN 技術如今被用於 AI 伺服器、衛星與機器人。了解寬能隙半導體如何實現比矽高出 10 倍的效能、為什麼在 100-200V 電壓範圍內 GaN 實際上更便宜，以及第七代新器件如何比前幾代小三倍。
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GaN（氮化鎵）FET 正以優異的可靠性徹底改變電力電子技術，優於傳統矽半導體。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋 GaN 技術在電源轉換應用中的根本優勢。了解為什麼 GaN 器件能在 300°C 高溫下運作，而矽會失效；認識 GaN FET 中不存在 Spirito 效應的原因；並發掘這些寬能隙半導體如何實現太空應用中的抗輻射能力。
隨著氮化鎵(GaN)技術的不斷成熟，其應用範圍正在擴展到低壓領域——這一領域傳統上由矽MOSFETs主導。在這篇深度文章中，探索GaN在提高效率、減少開關損耗和緊湊型外形方面的優勢，以及它是如何在消費電子、汽車系統和邊緣計算中轉變電力轉換，並開創低壓電力設計創新的新時代。
電子元件 2025年6月 閱讀文章
In this op-ed, Alfred Vollmer explores the accelerating shift from traditional silicon MOSFETs to wide bandgap (WBG) semiconductors—particularly gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). GaN devices are conquering more and more terrain that was formerly a pure domain of Silicon MOSFETs.
Bodo’s Power Systems June 2025 Read article
現代電力系統要求更高的效率、增加的功率密度，以及降低電磁干擾（EMI）——同時還需遵守日益縮小的尺寸限制。在解決這些挑戰的轉換器拓撲中，飛行電容多級（FCML）轉換器因其獨特的優勢而脫穎而出。當與氮化鎵（GaN）功率晶體管結合使用時，FCML轉換器提供了前所未有的性能水平，特別是在中壓應用領域，如48伏數據中心電力傳輸、電池管理系統和高效率功率因數校正（PFC）電路中表現出色。
電力系統設計 2025年6月 閱讀文章
在本系列的第一部分中，我們簡要介紹了多級圖騰柱PFC拓撲結構及其如何在伺服器應用中提高功率密度。在這第二部分中，我們將深入探討這種解決方案的設計細節，並展示一個從240 VAC輸入到400 VDC輸出、5 kW PFC系統的實驗結果。
Bodo’s Power Systems 2025年5月 閱讀文章
下一代氮化鎵平台正在推動高密度直流-直流轉換器技術的重大飛躍，相較於傳統的基於矽的解決方案，提供了前所未有的性能改進。在這次演講中，Alex Lidow 探討了 100V 和 40V 氮化鎵裝置的演進，展示了它們在 48V 至 12V 電力轉換中的作用。本環節強調了氮化鎵技術如何革命性地改變電力轉換，為高性能應用中更小、更高效和成本更低的解決方案提供了基礎。
PCIM 技術舞台 觀看視頻
本文探討高頻電機驅動器的價值、其優勢以及GaN技術的能力，這些使它們適用於當今的高要求應用。
電子週刊 2025年5月 閱讀文章
本月的How2Power通訊涵蓋了EPC在2025年APEC展會的參與情況。在展會上，EPC展示了一個實物大小的伺服器展示和尖端的基於氮化鎵的電源轉換器，包括一個48 V至12 V LLC參考設計，效率超過95.5%，功率密度>5 kW/in³。首席執行官Alex Lidow還展示了一款超過100 W/in³的緊湊型5 kW AC-DC電源供應器，突顯了GaN對伺服器電源架構的影響。在機器人方面，EPC的人形大使“Greg”和一個用於電機接頭的微型化GaN變頻器展示了為什麼GaN在智能機器的世界中迅速變得不可或缺。
How2Power 2025年4月 閱讀更多
透過緊湊、可靠且具成本效益的GaN技術提升光伏系統效能
加州艾爾塞貢多 — 2024年12月 — 高效能電力轉換公司 (EPC)，全球增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率器件領導者，驕傲地宣布推出最新的EPC9178參考設計，用於光伏（PV）優化器。EPC9178旨在提供高可靠性，同時解決能源效率和成本效益方面的關鍵挑戰，藉由減少太陽能系統中的被動元件，展示了GaN技術在可再生能源解決方案中的變革潛力。
在 2024 年 electronica 展會上，DigiKey 展位上的 Caitlin Gittins 與 EPC 的首席執行官 Alex Lidow 進行了關於 GaN 和無繫繩機器人未來的對話。Caitlin 首先介紹了 EPC 並解釋了 GaN 相較於傳統基於矽的半導體的獨特優勢，接著討論了 EPC 的特定 GaN 解決方案及其在機器人領域的應用。討論觸及了人形機器人的概念，將其與傳統機械臂進行對比，並探討了 EPC 對機器人未來的展望。此對話深入分析了 GaN 如何通過增強自主性和效率推動機器人行業的發展，並分享了 EPC 對於開發者在設計中採用 GaN 的建議。最後，對話總結了 EPC 如何定位自身以滿足不斷演變的機器人和 AI 驅動的人形機器人需求。
Electronic Specifier 2024 年 11 月 觀看訪談
光伏（PV）系統的採用持續增長，對製造商的持續壓力推動了創新並採用了新技術，以降低成本同時不影響可靠性。隨著可再生能源系統的持續發展，像GaN FETs這樣的創新技術將成為推動行業在成本、性能和可靠性方面進一步提升的關鍵。
Bodo’s Power Systems 2024年11月 閱讀文章