EPC技術文章

p-GaN HEMT 功率元件的漏極和閘極過壓失效機制分析

本文討論了對廣泛應用於業界的 p-GaN HEMT 元件在漏極和閘極過壓應力下之根本原因失效機制的分析。結論中提供了對本研究作者之一的獨家專訪。

電力電子新聞
2024 年 10 月
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GaN 功率解決方案賦能汽車、機器人及其他應用

EPC 的 GaN 基電源轉換解決方案組合,專為提供高效能與高可靠性而設計,已於 PCIM Europe 展出。

觀看影片

Electronic Design
2024 年 7 月

2024年PCIM歐洲展覽會:與EPC公司首席執行官Alex Lidow的對話

影片:Alex Lidow 討論了在PCIM會議上展示的最新電力電子趨勢、GaN技術的演變及其對可持續性和能源成本的影響。他還分享了克服技術和監管障礙的見解,並預測未來將塑造電力電子市場的創新。

Power Electronics News
2024年6月
觀看訪談

GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

電池供電的應用,例如新一代的機器人、無人機和電動工具,需要減少空間並簡化設計以控制電動馬達。優化尺寸和組件可以在不損失效率和性能的情況下,在小空間中包含更多功能,從而實現創新解決方案。EPC ePower™ Stage ICs 技術有助於簡化和改進先進電機控制應用中的逆變器設計。

Bodo’s Power Systems
2024年6月
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EPC回應台灣地震後的正常營運狀況

我們目前人員均安,廠務狀況檢查正常。各設施經過徹底檢查,可安全地持續營運,生產沒有中斷。供應鏈也已經過評估,沒有受到影響。

如果您有任何問題或疑慮,請隨時聯絡您當地的 EPC銷售代表

能量層級

功率半導體廣泛應用於電動移動領域的各個方面,不同技術適用於車輛的不同部分,這取決於電壓和電流需求,同時新興技術正在使系統變得更小。隨著GaN和SiC技術的成熟和價格的下降,採用率正在增加,這些技術正逐漸主導電動移動動力系統和電源系統的設計和開發。

電動移動工程
2024年3月
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專家於APEC 2024評估氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)

在這段來自《Power Electronics News》的影片中,半導體公司的一系列傑出演講者分享了在氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 基礎功率裝置方面的突破性發展見解。

GaN 演講者針對兩個塑造寬禁帶未來的關鍵問題進行了討論:

  1. 基板材料選擇對於 GaN 基礎功率裝置的重要性。他們詳細說明了這一選擇如何影響裝置性能、可靠性和製造性,並探討了研究人員如何應對與基板相關的挑戰。
  2. GaN 裝置在特定市場細分中如何超越傳統的矽基解決方案,推動其採用並揭示各自公司的技術方向。演講者包括:
    • Robert Taylor,德州儀器 (Texas Instruments) 工業應用部門應用工程師/總經理
    • Michael de Rooij,EPC 應用工程副總裁
    • Balu Balakrishnan,Power Integrations 首席執行官

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使用氮化鎵場效電晶體與為矽基MOSFET設計的控制器和門極驅動器

氮化鎵 (GaN) FET 已經革新了電力電子產業,與傳統矽 MOSFET 相比,提供了尺寸更小、切換速度更快、效率更高、成本更低等優勢。然而,GaN 技術的快速發展有時超過了專用 GaN 閘極驅動器和控制器的開發。因此,電路設計師常常求助於為矽 MOSFET 設計的通用閘極驅動器,需要仔細考慮各種因素以確保最佳性能。

Bodo’s Power Systems
2024年2月
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PODCAST: 用於電機控制和LiDAR應用的氮化鎵(GaN)

ChatGPT

在這一期由EPC執行長Alex Lidow主持的PowerUP節目中,我們深入探討了氮化鎵(GaN)技術在各種應用中的革命性影響,特別是對電機控制和Lidar系統的影響。

Power Electronics News
2024年2月
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Advancements in GaN Motor Drive Inverters Revolutionize UAV Drones for Agricultural Applications

Modern agricultural techniques have been revolutionized by the integration of unmanned aerial- vehicle (UAV) drones, which are low-voltage battery-operated aircrafts. Smaller drones are utilized for terrain mapping and vegetation monitoring, while heavier, more robust variants are employed for tasks such as spraying and distributing fertilizers and insecticides as well as disseminating seeds and feed with payloads up to 50 kg loads. GaN-based inverters prove to be suitable for UAV agricultural drones since they extend the battery life by improving motor efficiency, courtesy of the higher PWM frequency with sinusoidal excitation. In addition to the efficiency considerations, the higher PWM frequency contributes to a reduction in the dimensions of the DC link, thereby reducing the size and weight of the inverter, which is vital in lightweight aircrafts.

Bodo’s Power Systems
December, 2023
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採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模

與採用傳統矽元件的轉換器相比,採用氮化鎵基高電子遷移率電晶體 (HEMT) 具有許多材料和性能優勢,已廣泛用於消費和工業用功率轉換領域。氮化鎵元件在更高的開關頻率下提高了功率轉換效率,進而實現更低的系統成本和更高的功率密度。隨著功率密度的增加,散熱分析和熱建模變得至關重要。我們將在本文分享EPC的熱量計算器。 EPC公司製造增强型 GaN HEMT 和集成電路,例如支持多種轉換器的半橋元件。

Power Electronics News
2023年11月
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GaN技術來自EPC Space展示出對太空任務的極端穩健性

太空探索一直需要尖端技術、可靠性和韌性。最新的電力電子技術突破──氮化鎵(GaN)技術,已成為太空系統的改變遊戲規則者,與傳統的矽MOSFET相比,它提供了卓越的抗輻射能力和無與倫比的電氣性能。在本文中,我們探討了為什麼GaN功率裝置是太空中功率轉換應用的最佳選擇,以及它們的抗輻射能力如何使其成為太空任務的極其強健解決方案。

電子元件
2023年10月
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使用氮化鎵場效電晶體在48V到12V LLC轉換器中突破5 kW/in³

LLC諧振變換器已成為中間48V到12V轉換的首選拓撲結構,因為它們具有高效率、高功率密度和良好的動態響應。過去已經證明,將這種拓撲結構與GaN晶體管結合後的卓越性能。本文章展示了像EPC的最新一代GaN器件如何繼續進一步推動性能極限。

Bodo’s Power Systems
2023年11月
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GaN in Space: 解鎖衛星系統的效率和性能

太空產業正經歷一場向「新太空」轉變的變革,這是由於對無處不在的連接需求增加以及創新商業模式的出現所推動的。這一變革的關鍵要素之一是氮化鎵(GaN)技術在太空應用中的採用。由於其卓越的抗輻射性、高系統效率和輕量化特性,GaN 具有巨大的潛力。

在與 EE Times Europe 的討論中,Yole Intelligence(Yole Group 旗下)的技術和市場分析師 Taha Ayari 和 Aymen Ghorbel 解釋了新太空——低地球軌道(LEO)任務部分,典型的衛星壽命為三到五年,可靠性要求較低——如何成為 GaN 採用的焦點。因此,GaN 功率器件正被採用於各種衛星系統,包括 DC/DC 轉換器、負載點系統、電機驅動和離子推進器。

EE Times Europe
2023年10月
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氮化鎵技術在功率轉換領域普及進程的里程碑

影響氮化鎵技術在各種電源管理應用中的快速滲透普及有哪些因素?在本文中,我們將深入探討在過去 13 年中我司訪問過、已投入批量生産的客戶的反饋。

Power Electronics News
2023 年 10 月
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氮化鎵電晶體簡化大電流馬達控制逆變器的設計

由電池供電的工業車輛,例如叉車、手動搬運車或倉庫內的自動車輛,需要大電流逆變器來驅動馬達。 氮化鎵技術有助於提高這些應用中的功效和簡化逆變器的設計。

Bodo System
2023 年 10 月
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GaN產業版塊動盪宜普如何越級挑戰?

宜普電源轉換公司聯合創辦人暨執行長Alex Lidow表示,GaN的成本競爭力亦與Si MOSFET並駕齊驅,潛在爆發力更有過之而無不及,目前最關鍵就是得重塑諸多研究者的老舊觀念,認為GaN昂貴到碰不得。GaN的技術正迎來轉捩點,在先進運算、車用電子、太空電子及消費電子等新型應用設計多數採GaN技術,而非Si MOSFET。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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宜普拚GaN成本優勢目標超車Si MOSFET

宜普電源轉換公司聯合創辦人暨執行長Alex Lidow接受DIGITIMES專訪,提到GaN主要會被應用在650V及以下市場。反之碳化矽則是主導650V以上的市場,它可望取代矽基絕緣閘極雙極性電晶體。宜普也在開發對速度及尺寸特性極為要求的400V以下市場。且致力於製造比Si功率元件擁有更高性能、更具成本競爭力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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EPC Space 將氮化鎵帶到大氣層邊緣

將氮化鎵(GaN)帶入最終邊疆,EPC Space 推出了兩款新的耐輻射氮化鎵晶體管,專為太空應用中的高電流切換而設計。隨著商業衛星數量的不斷增加,設計人員需要更多具備改進電流處理能力的太空電源電子選項。

All About Circuits
2023年9月
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采用通过单片GaN集成电路提高性能,同时、缩小降低尺寸和降低成本

在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中,15 V至350 V范围内的氮化镓(GaN)异质结场效应功率晶体管显示出比硅具有显著优势的,无论是在效率、尺寸、速度和成本方面。这些优势源于关键电场的数量级比硅高出一个数量级,具体而言,尤其是高三倍的带隙方面有3倍的优势,和高1.3倍的电子迁移率方面有1.3倍的优势。

Bodo’s Power Systems 2023年9月
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