宜普電源轉換公司（EPC）第八階段可靠性測試報告表明，氮化鎵元件經過超過8百萬元件小時的應力測試後，沒有失效元件。該報告詳細探討EPC在推出通過認證的產品之前所進行的應力測試，以及分析元件失效的物理原因。

Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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宜普電源轉換公司（EPC）的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展，包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節，我們分享eGaN^® FET的可靠性及現場數據的概述，包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據，以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24，這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN^® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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雜誌:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司產品品質及可靠性總監馬豔萍博士

摘要:
本文討論了相比功率MOSFET器件,氮化鎵場效應電晶體具有高電子密度和非常低的溫度系數,使它能夠在目前的高性能應用中具有明顯的優勢。 電子密度產生優異的RDS(ON),而正溫度系數防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。

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Efficient Power Conversion’s (EPC) enhancement-mode gallium-nitride (eGaN) power transistors, although similar to standard power MOSFETs, deliver performance unattainable by silicon-based devices.

Yanping Ma, PhD, Efficient Power Conversion, El Segundo, Calif.
How2Power
October, 2010

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