氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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矽谷有賴矽材料而得以蓬勃發展。但該材料的性能已經達到最高極限。有些人預見，未來將是氮化鎵材料的世界。什麼是氮化鎵？這意味著什麼？

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電力的成本反映了社會經濟是否發展良好。這是因爲具備成本效益的電力可提高生活質素、推動全新應用的出現及業界的健康發展。氮化鎵元件的出現可替代備受尊敬但日益陳舊的矽技術及解决方案，使得我們可滿足社會對更高效電源的要求並帶領業界的發展。

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採用無綫電源充電的產品不斷增多及各種移動應用採用多種不同的無綫電源標準使消費者容易混淆，而且阻礙無綫電源應用的普及。本章討論可支持多種模式並工作在各種高（6.78 MHz）低（100 kHz - 315 kHz)頻率的放大器拓撲。

EEWeb - Wireless & RF 雜誌
2015年8月
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一種全新產品的面世有可能使檢查大腸中的癌細胞好像吞下藥丸般這麽容易。這種技術是基於一種由宜普電源轉換公司（EPC）開發的全新晶片，該晶片並沒有使用矽技術 -- 它使用了氮化鎵（GaN）技術。宜普公司的首席執行長Alex Lidow對Quartz談及他們公司的晶片可以耐受Check Cap內的各個感應器所需的高電壓。

Quartz
2015年7月30日
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This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

EPC公司Michael de Rooij與Power Systems Design 雜誌編輯Alix Paultre分享無線電源傳送解決方案

Power Systems Design雜誌
2014年3月
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

增強型氮化鎵場效應電晶體商用化已經超過四年，並不斷滲透及進駐本來被矽功率MOSFET器件所壟斷的應用領域。

Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月

在高頻降壓轉換器配備最優的版圖，使得在1MHz 頻率下開關時器件可實現96%以上的效率。

EEWeb
日期：2013年9月
作者：Alex Lidow

本專欄已經討論了氮化鎵場效應電晶體的優勢及與矽MOSFET器件相比， 它們具備可以實現更高效率及開關速度的潛力。 本章將討論使用氮化鎵場效應電晶體時，在驅動器及版圖方面的考慮，以提高性能。

EEWeb
八月份： 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮

當一種全新技術出現，如果認為工程師可以憑直覺知道如何有效及快速地實現這種具備更高性能的技術的優勢是不合理的，因為新技術必然有其學習曲線，氮化鎵技術也不例外。

氮化鎵場效應電晶體技術在2010年中從宜普公司推出業界第一種商用氮化鎵電晶體開始，提供予廣大電源轉換工程界使用。此後，宜普公司在繼續發展其產品系列之同時與系統設計工程師分享如何實現氮化鎵技術的優勢，其中一個教育專案是與Power Electronics雜誌合作，每兩個月撰寫關於氮化鎵技術的特性及其應用的文章。

這一系列文章名為“氮化鎵場效應電晶體與矽電源器件比拼文章”，專題探討使用氮化鎵器件的基本問題及獨特應用。 現在讓我們回顧共16章的文章，以幫助工程師加快其學習曲線之同時使我們知道需要什麼新議題及研究來推動採用氮化鎵技術，正如學習是永無休止的。

作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士、應用工程行政總監Michael de Rooij博士及應用總監David Reusch博士

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使用功率MOSFET的功率系統設計工程師可簡單地改用增強型氮化鎵電晶體。氮化鎵器件的基本工作特性與MOSFET器件相同，但在高效設計中必需考慮幾個特性，從而發揮這種新一代器件的最大優勢。

Alex Lidow
EEWeb
2013年7月

封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，並增加阻抗和電感，從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝，使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比，具有相同成本的優勢。

雜誌：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

領導增強型氮化鎵電晶體發展的宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow首次在EEWeb.com撰寫全新專欄，每月與設計工程師討論矽基氮化鎵功率器件可以 替代舊有功率MOSFET器件。

EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月

雖然氮化鎵場效應電晶體被設計及優化為一種開關功率器件，但該電晶體也具備良好的射頻特性。 本章是關於氮化鎵場效應電晶體在200 MHz至2.5 GHz頻率範圍的射頻特性的第1部分。

作者：宜普公司應用工程行政總監Michael de Rooij博士、產品應用副總裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless總裁Matthew Meiller

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雜誌：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作為替代MOSFET器件的氮化鎵（GaN）功率器件在商用直流-直流電源轉換的應用已發展了三年，隨著氮化鎵器件暫露頭角，加上以前使用MOSFET的場效應電晶體而不能實現的應用也可以使用氮化鎵器件來實現，對於氮化鎵功率器件的開發者來說，以前想不到及還沒有開發的全新應用將提供大有可為的發展機遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM