EPC7007：抗辐射的200 V功率晶体管

VDS, 200 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 20 A
脉冲 ID, 80 A
焊料：95% Pb、5% Sn

EPC7007 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.6 mm x 1.6 mm

应用

  • 商用卫星 EPS 和航空电子设备
  • 深空探测器
  • 高频 、抗辐射 DC/DC 转换
  • 抗辐射的电机驱动器
  • Ion thrusters

优势

  • 超高效率
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low charges
  • 超小占板面积
  • 重量轻
  • 总剂量
    • 额定 > 1 Mrad
  • 单粒子效应
    • LET 的 SEE 抗扰度为 85 MeV/(mg/cm2)，漏源额定电压VDS可以高达100%击穿电压
  • 中子
    • 维持符合辐照前的规格，最高可达3 x 1015 Neutrons/cm2
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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See Supplement No. 1 to Part 738 – Commerce Country Chart for countries with no “X” in column NS2.