EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーであり、パワーMOSFETの代替品としてエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®） FETを製品化した最初の企業です。
O当社のeGaN FETとICは、あらゆる電力変換の回路構成、すなわち、フルブリッジ、ハーフブリッジ、バック（降圧型）・コンバータ、ブースト（昇圧型）・コンバータ、PFC（力率改善回路）、フライバック・コンバータ、フォワード・コンバータ、LLCコンバータを採用している設計者に、シリコンと比べて大幅な性能向上を実現する機会を提供します。
EPCは、eGaN FETを使いやすくするために、シリコンのパワーMOSFETと非常によく似た動作をするデバイスを開発しました。ユーザー・フレンドリーなツールが、新しいタイプのデバイスの採用を単純化します。EPCは、エンジニアが最小限の時間で回路をすばやく設計・実装できるように、3次元デバイス・モデルの包括的なリストを開発しました。
EPCのeGaN FETモデルは、米ナショナルインスツルメンツのMultisimシミュレーション環境でご利用いただけます。ウエブキャストを見る
個別のコンフィギュレーション・ファイルをダウンロードするためには、ファイルアイコンをクリックしてください。SPICEタイプ向けのすべてのファイルを含む.zipファイルをダウンロードするためには、spice欄の下のzipアイコンをクリックしてください。データシートにアクセスするためには、型番をクリックしてください。