EPC技術文章

氮化鎵是什麽?

電力的成本反映了社會經濟是否發展良好。這是因爲具備成本效益的電力可提高生活質素、推動全新應用的出現及業界的健康發展。氮化鎵元件的出現可替代備受尊敬但日益陳舊的矽技術及解决方案,使得我們可滿足社會對更高效電源的要求並帶領業界的發展。

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Why Consolidation In The Chip Industry Matters To You

If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
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爲節能的半導體材料打了一支强心針

矽基晶片的發展因爲受到技術及經濟因素的影響而變得緩慢。業界利用全新的氮化鎵材料所具備的優勢解決這個問題。雖然各家公司致力於找出可製造尺寸更小的矽電晶體的方法,但是未能減低成本及解决在功耗方面的問題。宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow認爲相比矽元件,由於氮化鎵元件的開關可以更快速及在更高壓的條件下工作,因此氮化鎵材料在功率轉換應用中尤爲優勝。

華爾街日報
2015年6月22日
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報仇助力半導體的能效較量

功率轉換需要製造細小的元件以從電力的一種形式轉換至另外的一種形式,從而使得所有電子設備運行順暢。 直至目前爲止,矽元件是功率轉換的首選元件,但是當它的效率達到極限時,業界轉而關注全新材料的發展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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播客系列 – 氮化鎵的時代終於來臨了

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與Power Systems Design雜誌編輯Alix Paultre分享全新eGaN FET系列,實現具備優越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的元件。價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵電晶體的普及化的最後一個壁壘,而價格已經下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

摩爾定律已死。摩爾定律萬歲。

摩爾定律的預測已經變成自我應驗的預言。晶片的運算性能不僅僅是已經在每兩年/24個月得以倍升,它必需在每24個月內倍升才可以使科技業界及整個經濟不致陷入苦境、阻遏創新及經濟發展進程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

再見矽元件:為什麼獨特的元件設計是你的產品所使用的晶片的未來?

晶片的發展推動了一個又一個的技術大變革:個人電腦、互聯網、智慧手機、智慧手錶及即將推出的自動駕駛汽車。 宜普電源轉換公司(EPC)是一間把它的將來押注在III-V氮化鎵材料上的創始公司,其首席執行長Alex Lidow帶領著一支34人的專業團隊創建公司。該公司的業績繼續保持穩定增長,產品是採用III-V氮化鎵(GaN)材料層的電晶體。 在2016或2017年,Lidow預計氮化鎵元件的製程可以包含電腦處理器內負責思考的邏輯電路。Lidow認為「與傳統的矽元件相比,氮化鎵元件所具備的電力特性使你立即可以取得1000倍改進產品性能的機會。」

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CNET.com
2015年4月17日

Move over, silicon. Gallium nitride chips are taking over

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

Where is GaN Going?

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

氮化鎵技術將改寫未來

60年以來業界首次見證全新的半導體技術以更低的成本製造出比矽元件具備更高的性能的電晶體。氮化鎵(GaN)技術展示了它顯著提升了電晶體的性能之外,氮化鎵元件的製造成本比矽元件可以更低。由於氮化鎵電晶體具備快速開關特性,在高壓及大電流工作時它比任何前代的電晶體都更為優越,支援開發全新的應用。這些特性非常優越,可推動全新並改寫未來的應用的出現。但是氮化鎵技術的發展還是剛剛開始,它的發展前景將無可限量。

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EDN雜誌
作者:Alex Lidow
2015年1月

碳化矽及氮化鎵功率半導體市場的複合年均增長率將達63%

根據美國市場研究公司The Information Network指出,碳化矽及氮化鎵功率半導體市場於2011年至2017年的複合年均增長率將達63%及營收預測爲5億美元。

Compound Semiconductor
2014年10月
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Development Boards Make Evaluating eGaN FETs Simple

Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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功率轉換市場的目標轉向氮化鎵

高壓氮化鎵器件即將商用化,製造商終於可預期它的市場發展速度將非常迅猛

雜誌:Compound Semiconductor
2014年7月
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功率氮化鎵市場於2016年至2020年的複合年均增長率將達80%

氮化鎵器件於2020年的銷售額預期可達差不多6億美元幷大約需要製造58萬片6英寸晶圓。氮化鎵器件的市場將於2016年起發展迅猛,至2020年的複合年均增長率達80%,這個預期是基于EV/HEV預計從2018至2019年開始採納氮化鎵得出。於2015年至2018年,電源供電/功率因數校正將成爲主要市場幷將最後占氮化鎵器件銷售總額 50%,届時氮化鎵器件於車用市場將急起直追。

Yole Development公司
2014年6月
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氮化鎵器件 – 迅速進駐全新市場

業界迅速採納基於氮化鎵的功率器件,因為氮化鎵器件的工作頻率及開關速度是矽功率器件所不能實現的。

Power Electronics Europe
作者:Alex Lidow博士、Johan Strydom博士及 David Reusch博士
2014年6月

製造氮化鎵器件可利用矽器件的供應鏈

矽半導體技術的供應鏈已經投放超過千億美元,使得它難以置信地極具效率。製造新興的高性能氮化鎵電晶體如何在這方面可與矽器件匹敵?答案很簡單,我們利用矽器件的現有供應鏈來製造氮化鎵器件,因此可大大降低氮化鎵電晶體的製造成本。

Power Systems Design
作者:Alex Lidow
2014年 5月 27日

功率轉換領域:矽器件已經走到盡頭

應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產,其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。

雜誌:Bodo’s Power Systems
作者:Alex Lidow
2014年5月

Power Semiconductor Makers Target New Products For Specific Applications

Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.

Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014

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