The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN^®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
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全新EPC2107及EPC2108 eGaN^®功率積體電路包含單片半橋式元件及集成式自舉功能，專爲符合無綫充電聯盟（A4WP）第二及第三級規範的解決方案而設。此外，爲了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估，我們也提供開發板及包含發射器及接收器的無綫電源傳送解决方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出內含整合式自舉功能的場效應電晶體的eGaN半橋功率積體電路 EPC2107（100 V）及EPC2108EPC2108 （60 V）。該積體電路去除了由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中整合了一個自舉場效應電晶體。

氮化鎵（GaN）場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比，氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻（R_DS(on)），從而可以實現具有更高功效的功率電源，對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路，你必需理解元件的開關速度。

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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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在過去幾年間，無線電源傳送應用逐漸流行，尤其是替可擕式裝置充電的應用。宜普公司在本章討論使用鬆散耦合線圈、高度諧振的無線電源解決方案，符合A4WP標準並適合工作在免執照、給工業、科學及醫療用電器設備（ISM）使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。

雜誌：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月

This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

本章我們回到討論硬開關轉換器，但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作，超越矽技術的實際限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月

在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月

增強型氮化鎵場效應電晶體商用化已經超過四年，並不斷滲透及進駐本來被矽功率MOSFET器件所壟斷的應用領域。

Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月

With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

我們在本章討論在隔離型直流-直流功率轉換中使用更複雜的硬開關轉換器。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月

在高頻降壓轉換器配備最優的版圖，使得在1MHz 頻率下開關時器件可實現96%以上的效率。

EEWeb
日期：2013年9月
作者：Alex Lidow

當一種全新技術出現，如果認為工程師可以憑直覺知道如何有效及快速地實現這種具備更高性能的技術的優勢是不合理的，因為新技術必然有其學習曲線，氮化鎵技術也不例外。

氮化鎵場效應電晶體技術在2010年中從宜普公司推出業界第一種商用氮化鎵電晶體開始，提供予廣大電源轉換工程界使用。此後，宜普公司在繼續發展其產品系列之同時與系統設計工程師分享如何實現氮化鎵技術的優勢，其中一個教育專案是與Power Electronics雜誌合作，每兩個月撰寫關於氮化鎵技術的特性及其應用的文章。

這一系列文章名為“氮化鎵場效應電晶體與矽電源器件比拼文章”，專題探討使用氮化鎵器件的基本問題及獨特應用。 現在讓我們回顧共16章的文章，以幫助工程師加快其學習曲線之同時使我們知道需要什麼新議題及研究來推動採用氮化鎵技術，正如學習是永無休止的。

作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士、應用工程行政總監Michael de Rooij博士及應用總監David Reusch博士

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封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，並增加阻抗和電感，從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝，使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比，具有相同成本的優勢。

雜誌：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

領導增強型氮化鎵電晶體發展的宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow首次在EEWeb.com撰寫全新專欄，每月與設計工程師討論矽基氮化鎵功率器件可以 替代舊有功率MOSFET器件。

EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月

雖然氮化鎵場效應電晶體被設計及優化為一種開關功率器件，但該電晶體也具備良好的射頻特性。 本章是關於氮化鎵場效應電晶體在200 MHz至2.5 GHz頻率範圍的射頻特性的第1部分。

作者：宜普公司應用工程行政總監Michael de Rooij博士、產品應用副總裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless總裁Matthew Meiller

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雜誌：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作為替代MOSFET器件的氮化鎵（GaN）功率器件在商用直流-直流電源轉換的應用已發展了三年，隨著氮化鎵器件暫露頭角，加上以前使用MOSFET的場效應電晶體而不能實現的應用也可以使用氮化鎵器件來實現，對於氮化鎵功率器件的開發者來說，以前想不到及還沒有開發的全新應用將提供大有可為的發展機遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM