LIDAR is made up of a laser (or arrays) capable of transmitting pulsed light over the required range of interest, and a high-speed, low-noise receiver for reflected signal analysis. A portion of this light is reflected or scattered back to the receiver according to the reflectivity of the target.

EDN Network
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Gamers may not care about the finer points of gallium nitride (eGaN) chips as evangelized by power pioneer Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion (EPC). But they will care that those chips will enable a new generation of gaming laptops with much smaller power supplies than in the past.

Venture Beat
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Best design practices utilize the advantages offered by eGaN FETs, including printed circuit board (PCB) layout and thermal management. As GaN transistor switching charges continue to decrease, system parasitics must also be reduced to achieve maximum switching speeds and minimize parasitic ringing typical of power converters.

Power Electronics
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EPCが無線充電用途向けeGaN FETとパワーキットに関するデータ一覧

日経BP社
2017年6月15日
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這位在40年前成為博士的科學家曾為世界節省了15%電量，如今他正繼續自己的創新之旅，為人類找到了矽的全新替代材料。

我父親常常教導我：一個人的真正價值，是通過他對社會所作出的貢獻來衡量的。 1975年我進入研究生院學習，那時我的興趣在半導體領域，並且認為我對社會最大的貢獻，就是找到可以替代矽的半導體材料。我的研究生畢業課題從圍繞砷化鎵展開，但是直到在1977年獲得博士學位後，我才發現，作為一種半導體材料，砷化鎵受其基本材料特性所影響，它的應用前景非常有限，於是我轉而專注於研究如何製造出更好的矽基器件。

財富中文網 (Fortune China)
2017年6月15日
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參看EPC公司於APEC 2017展出基於氮化鎵技術的各種應用。

EDN Network
2017年4月3日
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於2017年APEC研討會上，宜普電源轉換公司（EPC）展示出採用氮化鎵(eGaN)技術的各種應用以證明它即將改變我們的生活方式。

Electronics360
2017年3月29日
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Light detection and ranging (lidar) is a versatile light-based remote sensing technology that recently has been the subject of great attention. It has shown up in a number of media venues and has even led to public debate about the engineering choices of a well-known electric car company, Tesla Motors. While this article is not going to enter the fray, it will provide some background on lidar and discuss its strong connection to power electronics technologies.

Published in: IEEE Power Electronics Magazine ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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宜普電源轉換公司（EPC）的第五代（Gen5）產品改善了製程、性能而同時降低可買到的氮化鎵電晶體的成本，以及縮小其晶片和電路板的尺寸。

EPC首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與他的團隊再次發揮專業精神，為設計師提供面向全新市場的獨特、可選的、需要比基於矽基元件更高效的功率解決方案。 團隊不僅僅在技術方面各有所長，並深入地瞭解製造工藝的量子力學，從而提高產品性能而同時縮小EPC解決方案的尺寸及降低其成本。

EDN
2017年3月15日
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3300億美元的矽晶片市場是所有電力電子行業的發展基礎。但成熟技術引發一輪併購後，該業界的發展步伐緩慢下來。

這就是為什麼創新者和主力推動利用氮化鎵替代矽材料的Alex Lidow認為目前是氮化鎵時代。他的宜普電源轉換公司(EPC)推出新一代eGaN晶片，比之前的晶片的尺寸小50%和性能高出很多倍。

VentureBeat
2017年3月15日
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本系列的第四章中，我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是，我們需要瞭解有閘極偏置時，元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵（GaN）場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上，從而分析該元件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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自動駕駛汽車將來需要基於鐳射感應技術，而這些系統則需要比矽基元件的性能更優越的全新並具備高速開關的電晶體及晶片。

以上是Alex Lidow所聲稱的技術發展進程。Lidow是史丹福大學的物理學家並擁有物理學博士學位、創業家、宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長及共同創辦人。該公司的總部位於加州的El Segundo市，是一家利用一種全新材料來製造電晶體及晶片的公司，該材料比矽材料具備更快速開關、更高效及成本更低等優勢。

《財富》雜誌
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中，我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力，其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性，它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時（例如數據表的參數及安全工作區(SOA)）而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）的eGaN元件的熱機械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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在本系列的第一及第二章，我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN^®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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人們用矽材料命名了“矽谷”，而矽材料現正面對全新並具有潛力的競爭對手 - 氮化鎵（GaN）材料。有說氮化鎵元件可以取得300億美元的半導體電源供應產業的市場份額。這個市場涵蓋了所有利用牆上的電源插座取得電源的產品—從Apple（AAPL）的iPhone充電器，以至Tesla（TSLA）的豪華電動汽車。

Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
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美國加州MILPITAS - 2016年5月 25日美通社專訊 --佔領電源管理和精確模擬解決方案的市場領導地位的Intersil Corporation (納斯達克指數NASDAQ代號: ISIL) 宣佈計劃進一步擴大其業界領先、面向衛星應用的耐輻射產品系列，在衛星及其他惡劣環境採用具備高可靠性的氮化鎵（GaN）電源轉換積體電路。

美通社
2016年5月25日
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宜普電源轉換公司（EPC）的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展，包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節，我們分享eGaN^® FET的可靠性及現場數據的概述，包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據，以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24，這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
Read article on page 24

The combination of lower on-resistance, faster switching speeds, lower thermal impedance, and smaller physical size of eGaN FETs continues to raise the bar for power transistor performance. As GaN technology matures, not only does the performance of these transistors rapidly improve, but significant reductions in cost are also realized. Not only will GaN devices continue to enable new applications, they will replace silicon power transistors in cost-sensitive applications as well. As a matter of fact, the first signs of this happening are already here.

Power Systems Design
By: Johan Strydom, Ph.D.
September 26, 2015
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