與傳統矽基電晶體相比，氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)具有多項基本優勢。GaN HEMT具有非常高的電子遷移率，無論是在開關速度、耐高溫和功率處理能力方面都表現卓越。這些獨特的屬性可提高效率、顯著縮小尺寸、降低重量、提高成本效益和增强熱性能。
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我們的 GaN HEMT電晶體具有出色的動態導通電阻和最小電容，專為需要高速開關的應用而設計。EPC的HEMT元件具有更短的死區時間以實現更高的效率。您可體驗我們的HEMT電晶體的可靠性，它在實驗室和大批量客戶應用測試中展示出具有高穩健性。eGaN元件擁有卓越的現場可靠性測試記錄。