EPCのGaNパワー、使いやすくするためにパッケージ化!

小型。高効率。強力。

狭いスペースで高い性能を発揮

EPCのGaN FETとICを放熱性に優れたQFNパッケージに封止し、スペースに制約のある設計向けに、画期的なpower density, 電力密度、高速スイッチング、そして優れた熱特性を実現します。モーター駆動、AI(人口知能)電源、太陽光発電、D級オーディオ・システムなどに最適です。

QFN封止GaNを選択する理由は?

  • 使いやすさ、プリント回路基板の設計・製造で
  • 超低オン抵抗RDS(on)、高効率動作向け
  • 表面冷却、高効率な熱管理向け
  • 高速スイッチング、高電力密度向け
  • 小さな実装面積、高密度基板レイアウト向け
  • 業界をリードする信頼性

QFN製品の特徴

部品番号をクリックすると、詳細な仕様、設計資料、レイアウトのガイドラインを見られます。

発売中

EPCのQFN封止のGaN FETは出荷準備が整っています。今すぐ購入