窒化ガリウムHEMTとは何ですか？　包括的なガイドとプロダクト・セレクタ

窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）は、従来のシリコン・ベースのトランジスタに比べて、基本的な利点があります。並外れて高い電子移動度を備えたGaN HEMTは、速度、温度耐性、電力処理能力に優れています。これらのユニークな特性によって、効率の向上、サイズと重さの大幅な削減、費用対効果の向上、熱特性の向上を実現できます。

EPCのGaN技術の詳細については、技術概要をダウンロードしてください

GaNデバイス利用の詳細については、電子ブック『Basics of Using GaN in Power Applications』および『Design Tips for Using GaN in Power Applications』をダウンロードしてください

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窒化ガリウム（GaN） HEMTのプロダクト・セレクタ・ガイド

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GaN HEMTが電力変換の未来となる理由

当社のGaN HEMTトランジスタは、優れた動的オン抵抗と最小限の静電容量を備えており、高速スイッチング用途向けに設計されています。EPCのHEMTは、短いデッドタイムで動作できるので、より高い効率が得られます。実験室のテストと大量のユーザーのアプリケーションの両方で実証された耐久性を備えた当社のHEMTトランジスタの信頼性を体験してください。eGaNデバイスには、フィールドでの優れた信頼性の記録があります。

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